【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2020-04-01 - 2025-03-31

【研究代表者】大場 史康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (90378795)

【キーワード】第一原理計算 / 機械学習 / 半導体 / ドーピング

【概要】系統的な第一原理計算とその結果の機械学習により、無機化合物における固有点欠陥の形成挙動・電子状態と様々な形態でのドーパント添加によるキャリアドーピングの有効性を、半導体としての応用に関わる種々の基礎物性と併せて俯瞰的に考察し、ワイドギャップ半導体の設計・探索の指針を構築することを最終目的として研究を推進した。本年度は、昨年度から開発を進めている高精度と高速を両立させたハイスループット第一原理計算及...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】体育学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2002 - 2004

【研究代表者】今泉 和彦 早稲田大学, 人間科学学術院・人間科学部, 教授 (60145068)

【キーワード】β_2アゴニスト / クレンブテロール / デキサメタゾン / エルゴジェニック効果 / 血漿エネルギー気質 (他21件)

【概要】β_2アゴニストの一つであるclenbuterol(4-amino-α(t-butyl aminomethyl)-3,5-dichlorobenzylalcohol)および合成グルココルチコイドの一っであるdexamethasone(dexamethasone 21-phosphate disodium salt)を用いてラットに投与した際のergogenic効果とそのメカニズムを明確にするため、...

【研究テーマ】エネルギー学

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31

【研究代表者】宮島 晋介 東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)

【キーワード】Cu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解 / ドーピング (他7件)

【概要】水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2021-04-05 - 2026-03-31

【研究代表者】平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (80598136)

【キーワード】半導体 / 新物質探索 / バルク・薄膜 / 第一原理計算 / デバイス (他8件)

【概要】本研究において打ち立てた以下2点の化学設計指針に従って、研究計画におけるロードマップに設定したとおり、「有望物質の探索」に取り組み、また同時進行で研究の次段階ステージとなる「薄膜試料作製」の本格実施のための準備を行った。 ・高対称性結晶（具体的にはペロブスカイト型構造）中に意図的に「非結合性軌道」を導入し、適切なバンドギャップと、p型にもn型にもドーピングが可能な電子状態を実現する。 ・高効率化に...

【研究テーマ】量子ビーム科学

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2012-04-01 - 2014-03-31

【研究代表者】品田 賢宏 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門付 (30329099)

【キーワード】ドーピング / イオン注入 / 細胞機能修飾 / イオンビーム

【概要】本研究では、申請代表者らが半導体物性制御用に世界に先駆けて開発した単一イオン注入技術(イオンを1 個ずつ数10nm の精度で注入可能)を応用して、ドーパント原子を生きた細胞に注入し、細胞機能修飾を試みた。具体的には、細胞注入用のイオン注入装置を開発し、筋芽細胞（C2C12）およびがん細胞（HeLa）にAuおよびAsイオンを注入を試みた。その結果、コントロール（未注入）と比較し、細胞活性が変化するこ...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2021-04-05 - 2026-03-31

【研究代表者】平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (80598136)

【キーワード】半導体 / 新物質探索 / バルク・薄膜 / 第一原理計算 / デバイス (他8件)

【概要】本研究において打ち立てた以下2点の化学設計指針に従って、研究計画におけるロードマップに設定したとおり、「有望物質の探索」に取り組み、また同時進行で研究の次段階ステージとなる「薄膜試料作製」の本格実施のための準備を行った。 ・高対称性結晶（具体的にはペロブスカイト型構造）中に意図的に「非結合性軌道」を導入し、適切なバンドギャップと、p型にもn型にもドーピングが可能な電子状態を実現する。 ・高効率化に...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】有機化学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2019-03-31

【研究代表者】中村 栄一 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任教授 (00134809)

【キーワード】二次元薄膜 / 自己集合 / ドーピング

【概要】グラフェンの部分構造を切り出したナノグラフェン類は，新しい機能性材料として近年特段の興味を集めているが，そのほとんどがグラフェンの規則構造である六員環を骨格とした設計である．本研究では，グラフェンの欠陥として存在することが知られる五員環や七員環を含む新規ナノグラフェンとして，アズレンを縮環したアズピレンを基本骨格とするナノグラフェンの合成と，その機能開拓に取り組む．共通中間体を経る効率的合成法と，...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】

【研究種目】若手研究

【研究期間】2018-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 界面 / 移動度 / 電荷分離 / 電荷再結合 (他6件)

【概要】有機太陽電池は低製造コストなどの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。これまで主に高分子材料の開発によりその光電変換効率は向上してきたが、未だ単結晶SiやGaAsなどの無機太陽電池には及ばない。そこで本研究では超高移動度分子を用いて界面構造を制御することで、有機太陽電池の効率向上に向けた知見を得ることを目指した。その結果、再結合損失の抑制には発電が起こるドナー／アクセ...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...

【研究テーマ】

【研究種目】若手研究

【研究期間】2018-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 界面 / 移動度 / 電荷分離 / 電荷再結合 (他6件)

【概要】有機太陽電池は低製造コストなどの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。これまで主に高分子材料の開発によりその光電変換効率は向上してきたが、未だ単結晶SiやGaAsなどの無機太陽電池には及ばない。そこで本研究では超高移動度分子を用いて界面構造を制御することで、有機太陽電池の効率向上に向けた知見を得ることを目指した。その結果、再結合損失の抑制には発電が起こるドナー／アクセ...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】ナノ構造化学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】岡田 洋史 東北大学, 理学研究科, 客員研究者 (70518258)

【キーワード】フラーレン / 内包フラーレン / 有機半導体 / ドーピング / 電荷移動錯体

【概要】一価のラジカルである陰イオン性フラーレンC60－に陽イオンであるリチウムイオンを取り込んだ中性リチウム内包フラーレン（Li@C60）を用いて，そのドーパントとしての性質を明らかにする研究を行った．特に，通常のフラーレンC60にLi@C60を混合した膜を作成したところ，Li@C60からの電子ドープが起こり，有機半導体としてのC60相のフェルミ準位やキャリア密度をコントロール可能であることがわかった．...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】有機化学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2019-03-31

【研究代表者】中村 栄一 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 特任教授 (00134809)

【キーワード】二次元薄膜 / 自己集合 / ドーピング

【概要】グラフェンの部分構造を切り出したナノグラフェン類は，新しい機能性材料として近年特段の興味を集めているが，そのほとんどがグラフェンの規則構造である六員環を骨格とした設計である．本研究では，グラフェンの欠陥として存在することが知られる五員環や七員環を含む新規ナノグラフェンとして，アズレンを縮環したアズピレンを基本骨格とするナノグラフェンの合成と，その機能開拓に取り組む．共通中間体を経る効率的合成法と，...

【研究テーマ】エネルギー学

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31

【研究代表者】宮島 晋介 東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)

【キーワード】Cu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解 / ドーピング (他7件)

【概要】水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍...

【研究テーマ】エネルギー学

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31

【研究代表者】宮島 晋介 東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)

【キーワード】Cu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解 / ドーピング (他7件)

【概要】水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2020-07-30 - 2022-03-31

【研究代表者】早水 裕平 東京工業大学, 物質理工学院, 准教授 (80443216)

【キーワード】生体材料 / ペプチド / 自己組織化 / 自己組織化ペプチド / 結晶 (他9件)

【概要】本研究では、ペプチドのアミノ酸数は４つに固定し、テトラペプチドのアミノ酸配列による結晶化機構の違いを検討した。結晶化プレートを用いた蒸気拡散法によるペプチド結晶化を行なった。水やアルコールを溶媒として得られた結晶の単結晶構造解析を行い、各ペプチドの結晶構造を得た。その結果、どのペプチドもアミド骨格が織りなす水素結合ネットワークを主としたベータシート状の構造を取ることが分かった。X線構造解析やラマン...

【研究テーマ】ナノ構造化学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】岡田 洋史 東北大学, 理学研究科, 客員研究者 (70518258)

【キーワード】フラーレン / 内包フラーレン / 有機半導体 / ドーピング / 電荷移動錯体

【概要】一価のラジカルである陰イオン性フラーレンC60－に陽イオンであるリチウムイオンを取り込んだ中性リチウム内包フラーレン（Li@C60）を用いて，そのドーパントとしての性質を明らかにする研究を行った．特に，通常のフラーレンC60にLi@C60を混合した膜を作成したところ，Li@C60からの電子ドープが起こり，有機半導体としてのC60相のフェルミ準位やキャリア密度をコントロール可能であることがわかった．...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2020-07-30 - 2022-03-31

【研究代表者】早水 裕平 東京工業大学, 物質理工学院, 准教授 (80443216)

【キーワード】生体材料 / ペプチド / 自己組織化 / 自己組織化ペプチド / 結晶 (他9件)

【概要】本研究では、ペプチドのアミノ酸数は４つに固定し、テトラペプチドのアミノ酸配列による結晶化機構の違いを検討した。結晶化プレートを用いた蒸気拡散法によるペプチド結晶化を行なった。水やアルコールを溶媒として得られた結晶の単結晶構造解析を行い、各ペプチドの結晶構造を得た。その結果、どのペプチドもアミド骨格が織りなす水素結合ネットワークを主としたベータシート状の構造を取ることが分かった。X線構造解析やラマン...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2021-04-01 - 2024-03-31

【研究代表者】黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)

【キーワード】IV族混晶 / 結晶成長 / バンドエンジニアリング / フォノンドラッグ熱電能 / ゲルマニウムスズ (他8件)

【概要】本年度得られた成果を以下の通りまとめる。 (1)ゲルマニウムスズ薄膜：分子線エピタキシー法によりn型ゲルマニウムスズ薄膜（スズ組成：3%、ドーパント: Sb）を形成した。パワーファクタのキャリア濃度依存性を調査したところ、5E19 cm-3において最大値（~30 μWcm－1K－2＠室温）が得られることが分かった。n型のBiTe系薄膜の報告値（25 μWcm－1K－2）に匹敵する値である。低温で...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】エネルギー学

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31

【研究代表者】宮島 晋介 東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)

【キーワード】Cu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解 / ドーピング (他7件)

【概要】水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】ナノ構造化学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】岡田 洋史 東北大学, 理学研究科, 客員研究者 (70518258)

【キーワード】フラーレン / 内包フラーレン / 有機半導体 / ドーピング / 電荷移動錯体

【概要】一価のラジカルである陰イオン性フラーレンC60－に陽イオンであるリチウムイオンを取り込んだ中性リチウム内包フラーレン（Li@C60）を用いて，そのドーパントとしての性質を明らかにする研究を行った．特に，通常のフラーレンC60にLi@C60を混合した膜を作成したところ，Li@C60からの電子ドープが起こり，有機半導体としてのC60相のフェルミ準位やキャリア密度をコントロール可能であることがわかった．...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2019-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】上野 耕平 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (90741223)

【キーワード】半導体 / 電子デバイス / 高電子移動度トランジスタ / 結晶成長 / パワーデバイス (他9件)

【概要】本研究では、次世代超高耐圧・高出力パワーデバイスとして期待される窒化アルミニウム(AlN)および窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)混晶の結晶成長・デバイスプロセス開発に取り組んだ。 AlN結晶成長には高エネルギー粒子・紫外線照射による欠陥疑フェルミレベル制御というアプローチを導入し、パルススパッタ堆積法を用いて高品質AlN結晶成長・n絶型伝導性制御を実現した。 さらに本手法を用いてAlN/Al...

【研究テーマ】金属物性

【研究種目】若手研究(B)

【研究期間】2005 - 2006

【研究代表者】大場 史康 京都大学, 工学研究科, 助手 (90378795)

【キーワード】窒化ホウ素 / 第一原理計算 / ドーピング / イオン化エネルギー / 形成エネルギー (他6件)

【概要】六方晶窒化ホウ素(h-BN)の半導体化に最適なドーパントの理論予測を目的として,第一原理計算により様々な不純物のイオン化エネルギー及び形成エネルギーと電子構造を立方晶窒化ホウ素(c-BN)と比較しながら系統的に評価した.具体的には,h-BN及びc-BNスーパーセル中に様々なドーパント元素を導入し,第一原理PAW法による原子・電子構造の最適化計算を行った.得られたスーパーセルの全エネルギーを用いて不...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】

【研究種目】若手研究

【研究期間】2018-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 界面 / 移動度 / 電荷分離 / 電荷再結合 (他6件)

【概要】有機太陽電池は低製造コストなどの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。これまで主に高分子材料の開発によりその光電変換効率は向上してきたが、未だ単結晶SiやGaAsなどの無機太陽電池には及ばない。そこで本研究では超高移動度分子を用いて界面構造を制御することで、有機太陽電池の効率向上に向けた知見を得ることを目指した。その結果、再結合損失の抑制には発電が起こるドナー／アクセ...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】金属物性

【研究種目】若手研究(B)

【研究期間】2005 - 2006

【研究代表者】大場 史康 京都大学, 工学研究科, 助手 (90378795)

【キーワード】窒化ホウ素 / 第一原理計算 / ドーピング / イオン化エネルギー / 形成エネルギー (他6件)

【概要】六方晶窒化ホウ素(h-BN)の半導体化に最適なドーパントの理論予測を目的として,第一原理計算により様々な不純物のイオン化エネルギー及び形成エネルギーと電子構造を立方晶窒化ホウ素(c-BN)と比較しながら系統的に評価した.具体的には,h-BN及びc-BNスーパーセル中に様々なドーパント元素を導入し,第一原理PAW法による原子・電子構造の最適化計算を行った.得られたスーパーセルの全エネルギーを用いて不...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2021-04-05 - 2026-03-31

【研究代表者】平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (80598136)

【キーワード】半導体 / 新物質探索 / バルク・薄膜 / 第一原理計算 / デバイス (他8件)

【概要】本研究において打ち立てた以下2点の化学設計指針に従って、研究計画におけるロードマップに設定したとおり、「有望物質の探索」に取り組み、また同時進行で研究の次段階ステージとなる「薄膜試料作製」の本格実施のための準備を行った。 ・高対称性結晶（具体的にはペロブスカイト型構造）中に意図的に「非結合性軌道」を導入し、適切なバンドギャップと、p型にもn型にもドーピングが可能な電子状態を実現する。 ・高効率化に...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】総合研究(B)

【研究期間】1995

【研究代表者】川副 博司 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (80087288)

【キーワード】物質場 / エピタキシ- / 酸化物エレクトロニクス / ワイドキャップエレクトロニクス / シリコンクラスター超伝導 (他8件)

【概要】本研究では物質場制御による電子活性無機系材料の創製に関する調査研究を行い、重点領域研究の計画として具体化した。これを以下に要約する。 1)本計画では、機能の発現および構造の形成の両面においては、結晶表面場などの物質場が中心的役割を果たすという認識から出発する。 2)本計画では、国際発信型研究を指向している。具体的には、新奇機能材料を常に発見し続けるための基礎科学の構築を目標としている。そのために、...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)

【キーワード】ドーピング / 薄膜 / 格子定数 / 半導体 / ペロブスカイト (他11件)

【概要】本研究は今後電子セラミックス部品やメモリーデバイスなどに広く利用されることが予想されるペロブスカイト構造セラミックス薄膜に見られるバルク体(焼結体)とは異なる、いわば異常現象を明らかにし、その機構を解明して、セラミック薄膜の特異性から新たな機能を探索する手がかりを得ようとするものである。ここでの特異性は異種原子のドーピング化の難易性、固溶域の拡大、超格子の出現、超薄層からなる積層体の出現などである...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】総合研究(B)

【研究期間】1995

【研究代表者】川副 博司 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (80087288)

【キーワード】物質場 / エピタキシ- / 酸化物エレクトロニクス / ワイドキャップエレクトロニクス / シリコンクラスター超伝導 (他8件)

【概要】本研究では物質場制御による電子活性無機系材料の創製に関する調査研究を行い、重点領域研究の計画として具体化した。これを以下に要約する。 1)本計画では、機能の発現および構造の形成の両面においては、結晶表面場などの物質場が中心的役割を果たすという認識から出発する。 2)本計画では、国際発信型研究を指向している。具体的には、新奇機能材料を常に発見し続けるための基礎科学の構築を目標としている。そのために、...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】総合研究(B)

【研究期間】1995

【研究代表者】川副 博司 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (80087288)

【キーワード】物質場 / エピタキシ- / 酸化物エレクトロニクス / ワイドキャップエレクトロニクス / シリコンクラスター超伝導 (他8件)

【概要】本研究では物質場制御による電子活性無機系材料の創製に関する調査研究を行い、重点領域研究の計画として具体化した。これを以下に要約する。 1)本計画では、機能の発現および構造の形成の両面においては、結晶表面場などの物質場が中心的役割を果たすという認識から出発する。 2)本計画では、国際発信型研究を指向している。具体的には、新奇機能材料を常に発見し続けるための基礎科学の構築を目標としている。そのために、...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】吉田 英弘 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (80313021)

【キーワード】電場支援焼結技術 / フラッシュ焼結 / セラミック / 粒界 / 物質輸送 (他8件)

【概要】本研究では、フラッシュ焼結の技術的展開を見据えた、高速・低温焼結の素過程抽出とメカニズム解明を、先端ナノ計測に基づく独自のアプローチにより図った。その結果、強電場下で導入される独自の点欠陥構造や原子拡散促進を解析し捉えることに成功し、高速・低温焼結の素過程とそのメカニズムを明らかにした。またその基礎基盤知見に基づき、難焼結性酸化物セラミックスの高密度化（透光性獲得）、また高速・低温化に向けた技術的...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】総合研究(B)

【研究期間】1995

【研究代表者】川副 博司 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (80087288)

【キーワード】物質場 / エピタキシ- / 酸化物エレクトロニクス / ワイドキャップエレクトロニクス / シリコンクラスター超伝導 (他8件)

【概要】本研究では物質場制御による電子活性無機系材料の創製に関する調査研究を行い、重点領域研究の計画として具体化した。これを以下に要約する。 1)本計画では、機能の発現および構造の形成の両面においては、結晶表面場などの物質場が中心的役割を果たすという認識から出発する。 2)本計画では、国際発信型研究を指向している。具体的には、新奇機能材料を常に発見し続けるための基礎科学の構築を目標としている。そのために、...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2018-06-29 - 2020-03-31

【研究代表者】川田 宏之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20177702)

【キーワード】カーボンナノチューブ / 電気特性 / メッキ / 導電率 / ドーピング (他6件)

【概要】本研究では優れた電気的特性を有するカーボンナノチューブ(CNT)糸の創製を目的とし， CNT無撚糸に対しドーピング処理や熱処理，メッキ処理による金属との複合化などを行い，従来のCNT糸と比較し優れた電気的特性を有するCNT無撚糸を得た．特に，CNT無撚糸に対し高密度化と一塩化ヨウ素(ICl)ドーピング処理を施した際に導電率3.87×10~5S/m，黒鉛化処理とIClドーピング処理を施した際に導電率...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2021-04-05 - 2026-03-31

【研究代表者】平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (80598136)

【キーワード】半導体 / 新物質探索 / バルク・薄膜 / 第一原理計算 / デバイス (他8件)

【概要】本研究において打ち立てた以下2点の化学設計指針に従って、研究計画におけるロードマップに設定したとおり、「有望物質の探索」に取り組み、また同時進行で研究の次段階ステージとなる「薄膜試料作製」の本格実施のための準備を行った。 ・高対称性結晶（具体的にはペロブスカイト型構造）中に意図的に「非結合性軌道」を導入し、適切なバンドギャップと、p型にもn型にもドーピングが可能な電子状態を実現する。 ・高効率化に...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)

【キーワード】ドーピング / 薄膜 / 格子定数 / 半導体 / ペロブスカイト (他11件)

【概要】本研究は今後電子セラミックス部品やメモリーデバイスなどに広く利用されることが予想されるペロブスカイト構造セラミックス薄膜に見られるバルク体(焼結体)とは異なる、いわば異常現象を明らかにし、その機構を解明して、セラミック薄膜の特異性から新たな機能を探索する手がかりを得ようとするものである。ここでの特異性は異種原子のドーピング化の難易性、固溶域の拡大、超格子の出現、超薄層からなる積層体の出現などである...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】吉田 英弘 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (80313021)

【キーワード】電場支援焼結技術 / フラッシュ焼結 / セラミック / 粒界 / 物質輸送 (他8件)

【概要】本研究では、フラッシュ焼結の技術的展開を見据えた、高速・低温焼結の素過程抽出とメカニズム解明を、先端ナノ計測に基づく独自のアプローチにより図った。その結果、強電場下で導入される独自の点欠陥構造や原子拡散促進を解析し捉えることに成功し、高速・低温焼結の素過程とそのメカニズムを明らかにした。またその基礎基盤知見に基づき、難焼結性酸化物セラミックスの高密度化（透光性獲得）、また高速・低温化に向けた技術的...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】材料加工・処理

【研究種目】基盤研究(S)

【研究期間】2004 - 2008

【研究代表者】吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)

【キーワード】高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 (他24件)

【概要】アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】機械材料・材料力学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31

【研究代表者】赤坂 大樹 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80500983)

【キーワード】アモルファス炭素膜 / 水素 / 熱分解 / 耐熱性 / DLC膜 (他12件)

【概要】ダイヤモンド状炭素(DLC)膜はsp3とsp2結合性の炭素及び水素からなるアモルファス炭素膜の総称である．DLC膜の構造と膜の耐熱性の関係を評価し，DLC膜の熱分解反応過程から，耐熱性の向上指針を得る事を目的とし，各種構造を有するDLC膜を準備して，各膜の構造を把握した上で加熱時に脱離してくる脱離分子の温度依存性とその際の膜のsp2/sp3結合性炭素比の変化を評価した．その結果，熱分解はDLC膜の...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2021-04-01 - 2024-03-31

【研究代表者】黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)

【キーワード】IV族混晶 / 結晶成長 / バンドエンジニアリング / フォノンドラッグ熱電能 / ゲルマニウムスズ (他8件)

【概要】本年度得られた成果を以下の通りまとめる。 (1)ゲルマニウムスズ薄膜：分子線エピタキシー法によりn型ゲルマニウムスズ薄膜（スズ組成：3%、ドーパント: Sb）を形成した。パワーファクタのキャリア濃度依存性を調査したところ、5E19 cm-3において最大値（~30 μWcm－1K－2＠室温）が得られることが分かった。n型のBiTe系薄膜の報告値（25 μWcm－1K－2）に匹敵する値である。低温で...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2021-04-01 - 2024-03-31

【研究代表者】黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)

【キーワード】IV族混晶 / 結晶成長 / バンドエンジニアリング / フォノンドラッグ熱電能 / ゲルマニウムスズ (他8件)

【概要】本年度得られた成果を以下の通りまとめる。 (1)ゲルマニウムスズ薄膜：分子線エピタキシー法によりn型ゲルマニウムスズ薄膜（スズ組成：3%、ドーパント: Sb）を形成した。パワーファクタのキャリア濃度依存性を調査したところ、5E19 cm-3において最大値（~30 μWcm－1K－2＠室温）が得られることが分かった。n型のBiTe系薄膜の報告値（25 μWcm－1K－2）に匹敵する値である。低温で...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2017-04-01 - 2021-03-31

【研究代表者】大場 史康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (90378795)

【キーワード】窒化物半導体 / 材料設計 / 第一原理計算 / 点欠陥 / 薄膜 (他7件)

【概要】高精度・多角的な第一原理計算並びに機械学習に立脚したインシリコ（計算機中）での材料設計と候補物質のスクリーニングにより、半導体として有望な窒化物を選定することを目指して研究を推進した。既知の窒化物半導体の詳細な理論検討結果に基づいて材料設計の指針を構築し、インシリコスクリーニングを実行することにより、複数の有望物質を提案した。また、バンドギャップ制御及びキャリアドーピングに関する理論予測を実験によ...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2021-04-01 - 2024-03-31

【研究代表者】黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)

【キーワード】IV族混晶 / 結晶成長 / バンドエンジニアリング / フォノンドラッグ熱電能 / ゲルマニウムスズ (他8件)

【概要】本年度得られた成果を以下の通りまとめる。 (1)ゲルマニウムスズ薄膜：分子線エピタキシー法によりn型ゲルマニウムスズ薄膜（スズ組成：3%、ドーパント: Sb）を形成した。パワーファクタのキャリア濃度依存性を調査したところ、5E19 cm-3において最大値（~30 μWcm－1K－2＠室温）が得られることが分かった。n型のBiTe系薄膜の報告値（25 μWcm－1K－2）に匹敵する値である。低温で...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】総合研究(B)

【研究期間】1995

【研究代表者】川副 博司 東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (80087288)

【キーワード】物質場 / エピタキシ- / 酸化物エレクトロニクス / ワイドキャップエレクトロニクス / シリコンクラスター超伝導 (他8件)

【概要】本研究では物質場制御による電子活性無機系材料の創製に関する調査研究を行い、重点領域研究の計画として具体化した。これを以下に要約する。 1)本計画では、機能の発現および構造の形成の両面においては、結晶表面場などの物質場が中心的役割を果たすという認識から出発する。 2)本計画では、国際発信型研究を指向している。具体的には、新奇機能材料を常に発見し続けるための基礎科学の構築を目標としている。そのために、...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2018-06-29 - 2020-03-31

【研究代表者】川田 宏之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20177702)

【キーワード】カーボンナノチューブ / 電気特性 / メッキ / 導電率 / ドーピング (他6件)

【概要】本研究では優れた電気的特性を有するカーボンナノチューブ(CNT)糸の創製を目的とし， CNT無撚糸に対しドーピング処理や熱処理，メッキ処理による金属との複合化などを行い，従来のCNT糸と比較し優れた電気的特性を有するCNT無撚糸を得た．特に，CNT無撚糸に対し高密度化と一塩化ヨウ素(ICl)ドーピング処理を施した際に導電率3.87×10~5S/m，黒鉛化処理とIClドーピング処理を施した際に導電率...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2021-04-01 - 2024-03-31

【研究代表者】黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)

【キーワード】IV族混晶 / 結晶成長 / バンドエンジニアリング / フォノンドラッグ熱電能 / ゲルマニウムスズ (他8件)

【概要】本年度得られた成果を以下の通りまとめる。 (1)ゲルマニウムスズ薄膜：分子線エピタキシー法によりn型ゲルマニウムスズ薄膜（スズ組成：3%、ドーパント: Sb）を形成した。パワーファクタのキャリア濃度依存性を調査したところ、5E19 cm-3において最大値（~30 μWcm－1K－2＠室温）が得られることが分かった。n型のBiTe系薄膜の報告値（25 μWcm－1K－2）に匹敵する値である。低温で...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2018-06-29 - 2020-03-31

【研究代表者】川田 宏之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20177702)

【キーワード】カーボンナノチューブ / 電気特性 / メッキ / 導電率 / ドーピング (他6件)

【概要】本研究では優れた電気的特性を有するカーボンナノチューブ(CNT)糸の創製を目的とし， CNT無撚糸に対しドーピング処理や熱処理，メッキ処理による金属との複合化などを行い，従来のCNT糸と比較し優れた電気的特性を有するCNT無撚糸を得た．特に，CNT無撚糸に対し高密度化と一塩化ヨウ素(ICl)ドーピング処理を施した際に導電率3.87×10~5S/m，黒鉛化処理とIClドーピング処理を施した際に導電率...

【研究テーマ】エネルギー学

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31

【研究代表者】宮島 晋介 東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)

【キーワード】Cu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解 / ドーピング (他7件)

【概要】水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2021-04-01 - 2024-03-31

【研究代表者】黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (40715439)

【キーワード】IV族混晶 / 結晶成長 / バンドエンジニアリング / フォノンドラッグ熱電能 / ゲルマニウムスズ (他8件)

【概要】本年度得られた成果を以下の通りまとめる。 (1)ゲルマニウムスズ薄膜：分子線エピタキシー法によりn型ゲルマニウムスズ薄膜（スズ組成：3%、ドーパント: Sb）を形成した。パワーファクタのキャリア濃度依存性を調査したところ、5E19 cm-3において最大値（~30 μWcm－1K－2＠室温）が得られることが分かった。n型のBiTe系薄膜の報告値（25 μWcm－1K－2）に匹敵する値である。低温で...

【研究テーマ】電子デバイス・電子機器

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2013-08-30 - 2015-03-31

【研究代表者】若林 整 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (80700153)

【キーワード】電子デバイス・集積回路 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / スパッタ / 第一原理計算 (他7件)

【概要】将来ヒューマンインターフェース用トランジスタのチャネルとして、比較的移動度が高い、原子2次元層状二硫化モリブデン(MoS2)半導体について、第一原理計算も用いて研究した。バンド構造計算より、アルカリ金属汚染でピニング現象が発生し、MoS2膜が高濃度n型化することを確認した。他機関キャリヤ濃度1021 cm-3と合致している。そこでクリーンプロセスとして、スパッタ法によりMoS2膜を成膜することで、...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】金属物性

【研究種目】若手研究(B)

【研究期間】2005 - 2006

【研究代表者】大場 史康 京都大学, 工学研究科, 助手 (90378795)

【キーワード】窒化ホウ素 / 第一原理計算 / ドーピング / イオン化エネルギー / 形成エネルギー (他6件)

【概要】六方晶窒化ホウ素(h-BN)の半導体化に最適なドーパントの理論予測を目的として,第一原理計算により様々な不純物のイオン化エネルギー及び形成エネルギーと電子構造を立方晶窒化ホウ素(c-BN)と比較しながら系統的に評価した.具体的には,h-BN及びc-BNスーパーセル中に様々なドーパント元素を導入し,第一原理PAW法による原子・電子構造の最適化計算を行った.得られたスーパーセルの全エネルギーを用いて不...

【研究テーマ】電子デバイス・電子機器

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2013-08-30 - 2015-03-31

【研究代表者】若林 整 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (80700153)

【キーワード】電子デバイス・集積回路 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / スパッタ / 第一原理計算 (他7件)

【概要】将来ヒューマンインターフェース用トランジスタのチャネルとして、比較的移動度が高い、原子2次元層状二硫化モリブデン(MoS2)半導体について、第一原理計算も用いて研究した。バンド構造計算より、アルカリ金属汚染でピニング現象が発生し、MoS2膜が高濃度n型化することを確認した。他機関キャリヤ濃度1021 cm-3と合致している。そこでクリーンプロセスとして、スパッタ法によりMoS2膜を成膜することで、...

【研究テーマ】電子デバイス・電子機器

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2013-08-30 - 2015-03-31

【研究代表者】若林 整 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (80700153)

【キーワード】電子デバイス・集積回路 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / スパッタ / 第一原理計算 (他7件)

【概要】将来ヒューマンインターフェース用トランジスタのチャネルとして、比較的移動度が高い、原子2次元層状二硫化モリブデン(MoS2)半導体について、第一原理計算も用いて研究した。バンド構造計算より、アルカリ金属汚染でピニング現象が発生し、MoS2膜が高濃度n型化することを確認した。他機関キャリヤ濃度1021 cm-3と合致している。そこでクリーンプロセスとして、スパッタ法によりMoS2膜を成膜することで、...

【研究テーマ】電子・電気材料工学

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2004 - 2005

【研究代表者】秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40251491)

【キーワード】電流注入 / GzAs / 量子細線 / T型 / レーザー (他10件)

【概要】垂直及び平行配置の2通りのp-nドーピングプロファイルを有するT型量子細線レーザー構造において、電流注入での単一モード発振に成功した。これらのレーザーの共振器長は0.5mmで、端面にはAu/SiO2による高反射コートを施してある。へき開再成長T型量子細線レーザーは、その特異な作製法のために、レーザー光導波路がウエハーの角に形成され通常のフォトリソグラフィーの手法が使えない。また、p-n接合も立体的...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】応用物性・結晶工学

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】1999 - 2000

【研究代表者】小林 正和 早稲田大学, 材料技術研究所, 教授 (10241936)

【キーワード】マルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶 (他8件)

【概要】マルチフェーズエピタキシ技術の構築を目的として研究を遂行し、実験的および理論的アプローチを行なった。特に実験に関しては汎用の基板材料として用いられることの多いGaAsに格子整合が可能なZnCdSの結晶成長とその結晶性の制御と結晶性の詳細な解析を行った。さらに材料系の選択肢を増やすため,新しい結晶材料に注目し、基板材料との格子整合性や禁制帯幅などの基礎的性質の解析を進めた。 その結果、 1.GaAs...

【研究テーマ】電子デバイス・機器工学

【研究種目】一般研究(B)

【研究期間】1994 - 1995

【研究代表者】桑野 博 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)

【キーワード】ボロン拡散 / シリコン / 極浅接合 / ドーパント分布のモデリング / 急速熱拡散 (他8件)

【概要】本研究では,ウエーファ全体を一遍にしかも極めて浅いpn接合を形成する新しいド-ピング技術の開発とドーパント濃度分布のモデリングを目的として研究を行なった。具体的には,超高真空中でのドーパント源の堆積と急速加熱による浅いpn接合形成を試みた。超高真空プロセスにおいては,シリコン表面の清浄化技術が重要であり,まず各種の基板洗浄処理法に対してRHEEDおよびSIMSを用いて表面状態,汚染状態を評価した。...

【研究テーマ】電子デバイス・電子機器

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2013-08-30 - 2015-03-31

【研究代表者】若林 整 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (80700153)

【キーワード】電子デバイス・集積回路 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / スパッタ / 第一原理計算 (他7件)

【概要】将来ヒューマンインターフェース用トランジスタのチャネルとして、比較的移動度が高い、原子2次元層状二硫化モリブデン(MoS2)半導体について、第一原理計算も用いて研究した。バンド構造計算より、アルカリ金属汚染でピニング現象が発生し、MoS2膜が高濃度n型化することを確認した。他機関キャリヤ濃度1021 cm-3と合致している。そこでクリーンプロセスとして、スパッタ法によりMoS2膜を成膜することで、...

【研究テーマ】電子デバイス・機器工学

【研究種目】一般研究(B)

【研究期間】1994 - 1995

【研究代表者】桑野 博 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)

【キーワード】ボロン拡散 / シリコン / 極浅接合 / ドーパント分布のモデリング / 急速熱拡散 (他8件)

【概要】本研究では,ウエーファ全体を一遍にしかも極めて浅いpn接合を形成する新しいド-ピング技術の開発とドーパント濃度分布のモデリングを目的として研究を行なった。具体的には,超高真空中でのドーパント源の堆積と急速加熱による浅いpn接合形成を試みた。超高真空プロセスにおいては,シリコン表面の清浄化技術が重要であり,まず各種の基板洗浄処理法に対してRHEEDおよびSIMSを用いて表面状態,汚染状態を評価した。...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)

【キーワード】ドーピング / 薄膜 / 格子定数 / 半導体 / ペロブスカイト (他11件)

【概要】本研究は今後電子セラミックス部品やメモリーデバイスなどに広く利用されることが予想されるペロブスカイト構造セラミックス薄膜に見られるバルク体(焼結体)とは異なる、いわば異常現象を明らかにし、その機構を解明して、セラミック薄膜の特異性から新たな機能を探索する手がかりを得ようとするものである。ここでの特異性は異種原子のドーピング化の難易性、固溶域の拡大、超格子の出現、超薄層からなる積層体の出現などである...

【研究テーマ】電子デバイス・機器工学

【研究種目】一般研究(B)

【研究期間】1994 - 1995

【研究代表者】桑野 博 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)

【キーワード】ボロン拡散 / シリコン / 極浅接合 / ドーパント分布のモデリング / 急速熱拡散 (他8件)

【概要】本研究では,ウエーファ全体を一遍にしかも極めて浅いpn接合を形成する新しいド-ピング技術の開発とドーパント濃度分布のモデリングを目的として研究を行なった。具体的には,超高真空中でのドーパント源の堆積と急速加熱による浅いpn接合形成を試みた。超高真空プロセスにおいては,シリコン表面の清浄化技術が重要であり,まず各種の基板洗浄処理法に対してRHEEDおよびSIMSを用いて表面状態,汚染状態を評価した。...

【研究テーマ】電子デバイス・機器工学

【研究種目】一般研究(B)

【研究期間】1994 - 1995

【研究代表者】桑野 博 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)

【キーワード】ボロン拡散 / シリコン / 極浅接合 / ドーパント分布のモデリング / 急速熱拡散 (他8件)

【概要】本研究では,ウエーファ全体を一遍にしかも極めて浅いpn接合を形成する新しいド-ピング技術の開発とドーパント濃度分布のモデリングを目的として研究を行なった。具体的には,超高真空中でのドーパント源の堆積と急速加熱による浅いpn接合形成を試みた。超高真空プロセスにおいては,シリコン表面の清浄化技術が重要であり,まず各種の基板洗浄処理法に対してRHEEDおよびSIMSを用いて表面状態,汚染状態を評価した。...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2019-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】上野 耕平 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (90741223)

【キーワード】半導体 / 電子デバイス / 高電子移動度トランジスタ / 結晶成長 / パワーデバイス (他9件)

【概要】本研究では、次世代超高耐圧・高出力パワーデバイスとして期待される窒化アルミニウム(AlN)および窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)混晶の結晶成長・デバイスプロセス開発に取り組んだ。 AlN結晶成長には高エネルギー粒子・紫外線照射による欠陥疑フェルミレベル制御というアプローチを導入し、パルススパッタ堆積法を用いて高品質AlN結晶成長・n絶型伝導性制御を実現した。 さらに本手法を用いてAlN/Al...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】高木 英典 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (40187935)

【キーワード】モット絶縁体 / 半導体物理 / 微小ドーピング / ナノスケール電子状態 / 電荷秩序 (他19件)

【概要】本研究の目標はモット絶縁体の半導体物理とも言うべき分野を切り拓くことにある。その柱の一つは、ドーピングの物理であった。微小ドープモット半導体の典型例としてCa_<2-x>Na_xCuO_2Cl_2に着目し,1年目にナノスケールの電子の自己組織化の兆候を見出し、さらにその詳細を追求した。その結果が最終年度におけるチェッカーボード型の電荷秩序(電子固体)パターンの発見として結実した。この電...

【研究テーマ】電子デバイス・機器工学

【研究種目】一般研究(B)

【研究期間】1994 - 1995

【研究代表者】桑野 博 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)

【キーワード】ボロン拡散 / シリコン / 極浅接合 / ドーパント分布のモデリング / 急速熱拡散 (他8件)

【概要】本研究では,ウエーファ全体を一遍にしかも極めて浅いpn接合を形成する新しいド-ピング技術の開発とドーパント濃度分布のモデリングを目的として研究を行なった。具体的には,超高真空中でのドーパント源の堆積と急速加熱による浅いpn接合形成を試みた。超高真空プロセスにおいては,シリコン表面の清浄化技術が重要であり,まず各種の基板洗浄処理法に対してRHEEDおよびSIMSを用いて表面状態,汚染状態を評価した。...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2019-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】上野 耕平 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (90741223)

【キーワード】半導体 / 電子デバイス / 高電子移動度トランジスタ / 結晶成長 / パワーデバイス (他9件)

【概要】本研究では、次世代超高耐圧・高出力パワーデバイスとして期待される窒化アルミニウム(AlN)および窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)混晶の結晶成長・デバイスプロセス開発に取り組んだ。 AlN結晶成長には高エネルギー粒子・紫外線照射による欠陥疑フェルミレベル制御というアプローチを導入し、パルススパッタ堆積法を用いて高品質AlN結晶成長・n絶型伝導性制御を実現した。 さらに本手法を用いてAlN/Al...

【研究テーマ】電子デバイス・電子機器

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2013-08-30 - 2015-03-31

【研究代表者】若林 整 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (80700153)

【キーワード】電子デバイス・集積回路 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / スパッタ / 第一原理計算 (他7件)

【概要】将来ヒューマンインターフェース用トランジスタのチャネルとして、比較的移動度が高い、原子2次元層状二硫化モリブデン(MoS2)半導体について、第一原理計算も用いて研究した。バンド構造計算より、アルカリ金属汚染でピニング現象が発生し、MoS2膜が高濃度n型化することを確認した。他機関キャリヤ濃度1021 cm-3と合致している。そこでクリーンプロセスとして、スパッタ法によりMoS2膜を成膜することで、...

【研究テーマ】固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】岩佐 義宏 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

【キーワード】フラーレン / 電界効果トランジスタ / 自己組織化単分子膜 / 界面修飾 / 電荷注入 (他17件)

【概要】本研究の目的は、物質開発と電界効果トランジスタによるキャリヤドープによって、フラーレン物質の新しい機能性を引き出すことである。本研究の中で最も重要な成果は、フラーレンFETにおいて、化学的手法による界面修飾によってホール伝導を実現したことである。 まず、フラーレンの薄膜FETの性能を向上させるため、フラーレン蒸着膜を作製した後そのまま高真空下でFET測定を行った。その結果、0.56cm^2/Vsな...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】電子デバイス・機器工学

【研究種目】一般研究(B)

【研究期間】1994 - 1995

【研究代表者】桑野 博 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)

【キーワード】ボロン拡散 / シリコン / 極浅接合 / ドーパント分布のモデリング / 急速熱拡散 (他8件)

【概要】本研究では,ウエーファ全体を一遍にしかも極めて浅いpn接合を形成する新しいド-ピング技術の開発とドーパント濃度分布のモデリングを目的として研究を行なった。具体的には,超高真空中でのドーパント源の堆積と急速加熱による浅いpn接合形成を試みた。超高真空プロセスにおいては,シリコン表面の清浄化技術が重要であり,まず各種の基板洗浄処理法に対してRHEEDおよびSIMSを用いて表面状態,汚染状態を評価した。...

【研究テーマ】

【研究種目】基盤研究(C)

【研究期間】2019-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】上野 耕平 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (90741223)

【キーワード】半導体 / 電子デバイス / 高電子移動度トランジスタ / 結晶成長 / パワーデバイス (他9件)

【概要】本研究では、次世代超高耐圧・高出力パワーデバイスとして期待される窒化アルミニウム(AlN)および窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)混晶の結晶成長・デバイスプロセス開発に取り組んだ。 AlN結晶成長には高エネルギー粒子・紫外線照射による欠陥疑フェルミレベル制御というアプローチを導入し、パルススパッタ堆積法を用いて高品質AlN結晶成長・n絶型伝導性制御を実現した。 さらに本手法を用いてAlN/Al...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)

【キーワード】ドーピング / 薄膜 / 格子定数 / 半導体 / ペロブスカイト (他11件)

【概要】本研究は今後電子セラミックス部品やメモリーデバイスなどに広く利用されることが予想されるペロブスカイト構造セラミックス薄膜に見られるバルク体(焼結体)とは異なる、いわば異常現象を明らかにし、その機構を解明して、セラミック薄膜の特異性から新たな機能を探索する手がかりを得ようとするものである。ここでの特異性は異種原子のドーピング化の難易性、固溶域の拡大、超格子の出現、超薄層からなる積層体の出現などである...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2017-04-01 - 2022-03-31

【研究代表者】吉田 英弘 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (80313021)

【キーワード】電場支援焼結技術 / フラッシュ焼結 / セラミック / 粒界 / 物質輸送 (他8件)

【概要】本研究では、フラッシュ焼結の技術的展開を見据えた、高速・低温焼結の素過程抽出とメカニズム解明を、先端ナノ計測に基づく独自のアプローチにより図った。その結果、強電場下で導入される独自の点欠陥構造や原子拡散促進を解析し捉えることに成功し、高速・低温焼結の素過程とそのメカニズムを明らかにした。またその基礎基盤知見に基づき、難焼結性酸化物セラミックスの高密度化（透光性獲得）、また高速・低温化に向けた技術的...

【研究テーマ】無機工業化学

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】1997 - 1999

【研究代表者】宮本 明 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50093076)

【キーワード】次世代エレクトロニクス材料 / 酸化物人工超格子 / 原子レベル設計 / 量子ドット / α-Al_2O_3 (他14件)

【概要】酸化物は高温超伝導や巨大磁気抵抗などの発見に見られるように、半導体にはない様々な物性を発現し、次世代のエレクトロニクス材料として大きな期待が集まっている。これらの酸化物結晶の機能発現には、その構造制御が重要な鍵となる。特に超機能性を有する酸化物人工超格子を創製するには、厳密かつ正確な理論に基づく原子レベルでの構造設計が必須である。このような観点から本研究では、酸化物人工超格子の物性予測のみならず、...

【研究テーマ】応用物性

【研究種目】試験研究(B)

【研究期間】1988 - 1990

【研究代表者】平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)

【キーワード】気相合成ダイヤモンド / カソ-ドルミネッセンス / 発光センタ- / エレクトロルミネッセンス / ド-ピング (他13件)

【概要】この研究では、大阪大学工学部・平木研究所で開発された有磁場マイクロ波プラズマCVD法および通常型マイクロ波プラズマCVD波で良質の結晶ダイヤモンド薄膜(以下CVDダイヤモンドと省略)を合成し、不純物(B、Nなど)の導入、電子線および中性子線の照射、アニ-リングなどによりCVDダイヤモンドの発光センタ-、発光機構など光特性に関する研究を行ない、青色および短波長のエレクトロルミネッセンス・デバイス(E...

【研究テーマ】熱工学

【研究種目】特別研究員奨励費

【研究期間】2017-11-10 - 2020-03-31

【研究代表者】丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)

【キーワード】Carbon nanotubes / Doping engineering / Hole selectivity / Electrode / Perovskite solar cells (他13件)

【概要】This period was to focuses on expansion of the stability and durability perovskite solar cells employing CNT electrodes to outperform the metal electrode. The lifetime of the device also can be longer...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2018-06-29 - 2020-03-31

【研究代表者】川田 宏之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (20177702)

【キーワード】カーボンナノチューブ / 電気特性 / メッキ / 導電率 / ドーピング (他6件)

【概要】本研究では優れた電気的特性を有するカーボンナノチューブ(CNT)糸の創製を目的とし， CNT無撚糸に対しドーピング処理や熱処理，メッキ処理による金属との複合化などを行い，従来のCNT糸と比較し優れた電気的特性を有するCNT無撚糸を得た．特に，CNT無撚糸に対し高密度化と一塩化ヨウ素(ICl)ドーピング処理を施した際に導電率3.87×10~5S/m，黒鉛化処理とIClドーピング処理を施した際に導電率...

【研究テーマ】構造・機能材料

【研究種目】萌芽研究

【研究期間】2001 - 2002

【研究代表者】丸山 俊夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20114895)

【キーワード】高温p-n接合 / 熱力学的平衡 / NiO-ZnO系 / 整流特性 / 無限寿命 (他10件)

【概要】熱力学に平衡するp型NiO固溶体とn型ZnO固溶体による無限寿命高温p-n接合を実現するために本年は以下の研究を行った。 1.機能素子を目指した薄膜化の検討 NiO-ZnO系において、NiO固溶体を析出させたZnO固溶体を作製し、その上にPLD(パルスレーザーデポジション)法により、NiOを蒸着し、空気中で熱処理により、2相平衡する薄膜型p-n接合を形成した。この接合のI-V特性は焼結体同士の場合...

【研究テーマ】デバイス関連化学

【研究種目】研究活動スタート支援

【研究期間】2016-08-26 - 2018-03-31

【研究代表者】伊澤 誠一郎 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 助教 (60779809)

【キーワード】有機太陽電池 / 有機半導体 / 界面 / 電荷再結合 / 電荷分離 (他10件)

【概要】有機薄膜太陽電池は、低製造コスト、柔軟性などの利点から、将来のエネルギー変換デバイスとして大きな注目を集めている。本研究では、電荷分離・再結合が起こる電子ドナー／アクセプター界面の構造を混合膜中で制御し、そのナノ構造と光電変換素過程との相関を明らかにすること、また有機薄膜太陽電池のデバイス性能の向上を目指して研究を行った。まずポリマー側鎖構造の違いで界面の混合状態を制御し、開放端電圧向上のためには...

【研究テーマ】無機材料・物性

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2001 - 2003

【研究代表者】水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)

【キーワード】ドーピング / 薄膜 / 格子定数 / 半導体 / ペロブスカイト (他11件)

【概要】本研究は今後電子セラミックス部品やメモリーデバイスなどに広く利用されることが予想されるペロブスカイト構造セラミックス薄膜に見られるバルク体(焼結体)とは異なる、いわば異常現象を明らかにし、その機構を解明して、セラミック薄膜の特異性から新たな機能を探索する手がかりを得ようとするものである。ここでの特異性は異種原子のドーピング化の難易性、固溶域の拡大、超格子の出現、超薄層からなる積層体の出現などである...

【研究テーマ】構造・機能材料

【研究種目】萌芽研究

【研究期間】2003 - 2004

【研究代表者】丸山 俊夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20114895)

【キーワード】高温トランジスタ / 高温p-nジャンクション / 熱力学平衡 / NiO-ZnO / ドーピング (他10件)

【概要】本研究ではNiO-ZnO系で熱力学的に平衡する酸化物を取り上げ高温トランジスタの開発の可能性を調べることを目的としている。平成16年度はp型であるNiO(ZnO)固溶体とn型であるZnO(NiO)固溶体とに,同時にドナーとアクセプターをドーピングして,熱力学的平衡における固溶量の違いにより,高性能な素子が得られる可能性について調べた。 アクセプターとしてLi_2OおよびNa_2O,ドナーとしてAl...

【研究テーマ】構造・機能材料

【研究種目】萌芽研究

【研究期間】2001 - 2002

【研究代表者】丸山 俊夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20114895)

【キーワード】高温p-n接合 / 熱力学的平衡 / NiO-ZnO系 / 整流特性 / 無限寿命 (他10件)

【概要】熱力学に平衡するp型NiO固溶体とn型ZnO固溶体による無限寿命高温p-n接合を実現するために本年は以下の研究を行った。 1.機能素子を目指した薄膜化の検討 NiO-ZnO系において、NiO固溶体を析出させたZnO固溶体を作製し、その上にPLD(パルスレーザーデポジション)法により、NiOを蒸着し、空気中で熱処理により、2相平衡する薄膜型p-n接合を形成した。この接合のI-V特性は焼結体同士の場合...

【研究テーマ】構造・機能材料

【研究種目】萌芽研究

【研究期間】2003 - 2004

【研究代表者】丸山 俊夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20114895)

【キーワード】高温トランジスタ / 高温p-nジャンクション / 熱力学平衡 / NiO-ZnO / ドーピング (他10件)

【概要】本研究ではNiO-ZnO系で熱力学的に平衡する酸化物を取り上げ高温トランジスタの開発の可能性を調べることを目的としている。平成16年度はp型であるNiO(ZnO)固溶体とn型であるZnO(NiO)固溶体とに,同時にドナーとアクセプターをドーピングして,熱力学的平衡における固溶量の違いにより,高性能な素子が得られる可能性について調べた。 アクセプターとしてLi_2OおよびNa_2O,ドナーとしてAl...

【研究テーマ】構造・機能材料

【研究種目】萌芽研究

【研究期間】2001 - 2002

【研究代表者】丸山 俊夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20114895)

【キーワード】高温p-n接合 / 熱力学的平衡 / NiO-ZnO系 / 整流特性 / 無限寿命 (他10件)

【概要】熱力学に平衡するp型NiO固溶体とn型ZnO固溶体による無限寿命高温p-n接合を実現するために本年は以下の研究を行った。 1.機能素子を目指した薄膜化の検討 NiO-ZnO系において、NiO固溶体を析出させたZnO固溶体を作製し、その上にPLD(パルスレーザーデポジション)法により、NiOを蒸着し、空気中で熱処理により、2相平衡する薄膜型p-n接合を形成した。この接合のI-V特性は焼結体同士の場合...

【研究テーマ】

【研究種目】挑戦的研究(萌芽)

【研究期間】2019-06-28 - 2021-03-31

【研究代表者】平本 昌宏 分子科学研究所, 物質分子科学研究領域, 教授 (20208854)

【キーワード】有機太陽電池 / ドーピング有機単結晶 / 長距離励起子拡散距離 / ルブレン単結晶 / バルクヘテロ接合 (他22件)

【概要】ドーピングルブレン単結晶ウェハー基板を用いた新原理有機太陽電池の動作に成功した。ルブレン単結晶基板の長距離励起子拡散距離（2.7ミクロン）を利用して、励起子収集効率47%を達成できた。また、キャリアを水平方向に取り出す「水平接合」という新しいコンセプトを提案し、水平接合長さ依存性を評価し、1.8 cm というマクロな距離での動作に成功した。 これらのセル構造によって、バルクヘテロ接合が不必要にでき...