高温耐環境cBN薄膜デバイス創製
【研究分野】材料加工・処理
【研究キーワード】
高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 / 先端機能デバイス / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 材料加工・処理 / 先端機能デパイス / cubic boron nitride / hexagonal boron nitride / UV emission / wide band gap / doping / 立方晶窒化ホウ素 / 乱層構造sp2結合窒化ホウ素 / ワイドバンドギャップ / 電気伝導度 / ナノインデンテーション / turbostratic boron nitride / wide bandgap / sputtering / IVP-CVD
【研究成果の概要】
アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。
【研究代表者】