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研究分野別サイレントキーワード
「光通信」とサイレントキーワードを含む研究
【数物系科学】天文学：衝撃波 ／光通信を含む研究件
❏ハイパワーフェムト秒レーザーによるウェラブル超小型ジャイロセンサーの開発(13555196)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】超短パルスレーザー / フェムト秒 / レーザー加工 / 石英結晶板 / ジャイロセンサー (他14件)
【概要】パルスレーザー光と物質の相互作用は、そのパルス幅とエネルギー密度によって大きく異なり、物理的過程のみならず、化学的過程の変化が複雑に絡み合っている。レーザーによる光デバイスなどを指向した精密な材料加工の観点からは、このような基礎的な過程に影響するパラメーターを系統的に整理して、新しいレーザー加工の概念を構築する必要がある。本研究は、極短パルスレーザーによる石英結晶板の微細パターン加工を行い、極短パ...
❏フェムト秒テラワットレーザーを用いたセラミックスの精密加工(11555182)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】フェムト秒レーザー / レーザー加工 / 誘電破壊 / セラミックス / テラワット (他8件)
【概要】初年度は、テラワットレーザーシステムの大型真空チャンバー内にターゲット位置を外部から精密に制御できる真空対応5軸ステージを設置した。予備的な加工条件洗い出し実験としてシリコンが誘電破壊を生じる臨界的な条件を探索した。300ps幅のレーザー光での臨界フルーエンス値は0.4J/cm^2で、既存データの外挿曲線上に一致した。また、真空環境と大気中とでは、後者の方が臨界条件が低下した。次年度では,溶融石英...
【工学】材料工学：誘電破壊 ／光通信を含む研究件
❏ハイパワーフェムト秒レーザーによるウェラブル超小型ジャイロセンサーの開発(13555196)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】超短パルスレーザー / フェムト秒 / レーザー加工 / 石英結晶板 / ジャイロセンサー (他14件)
【概要】パルスレーザー光と物質の相互作用は、そのパルス幅とエネルギー密度によって大きく異なり、物理的過程のみならず、化学的過程の変化が複雑に絡み合っている。レーザーによる光デバイスなどを指向した精密な材料加工の観点からは、このような基礎的な過程に影響するパラメーターを系統的に整理して、新しいレーザー加工の概念を構築する必要がある。本研究は、極短パルスレーザーによる石英結晶板の微細パターン加工を行い、極短パ...
❏フェムト秒テラワットレーザーを用いたセラミックスの精密加工(11555182)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】フェムト秒レーザー / レーザー加工 / 誘電破壊 / セラミックス / テラワット (他8件)
【概要】初年度は、テラワットレーザーシステムの大型真空チャンバー内にターゲット位置を外部から精密に制御できる真空対応5軸ステージを設置した。予備的な加工条件洗い出し実験としてシリコンが誘電破壊を生じる臨界的な条件を探索した。300ps幅のレーザー光での臨界フルーエンス値は0.4J/cm^2で、既存データの外挿曲線上に一致した。また、真空環境と大気中とでは、後者の方が臨界条件が低下した。次年度では,溶融石英...
【工学】電気電子工学：半導体結晶成長 ／光通信を含む研究件
❏超高速並列光データリンクのためのGaInNAs面発光レーザアレーの研究(13555091)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / 光インターコネクト / 量子構造 / 面発光レーザ (他8件)
【概要】光LANや光インターコネクトなどの短距離から都市間までをカバーする低コストな光データリンク用光源が必要になると考えられる.特に,光ファイバに適した長波長1.1-1.6μm帯で温度制御装置を必要としない面発光レーザの実現が重要である.そこで本研究では,光データリンク用の長波長帯面発光レーザを,GaAs基板上材料を用いて実現することを目的とした. まず,GaAs上材料として,高歪GaInAs,GaIn...
❏有機金属気相成長法によるGaInNAs成長と長波長帯面発光レーザへの応用(10750224)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】奨励研究(A)
【研究期間】1998 - 1999
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 講師 (70282861)
【キーワード】GaInNAs / GaInAs / 量子井戸 / MOCVD法 / 半導体結晶成長 (他7件)
【概要】波長1.3μm帯面発光レーザ実現のため,有機金属気相成長(MOCVD)法によるGaInNAs/GaAs量子井戸の結晶成長技術を確立し,長波長帯面発光レーザの活性層に適用することを目指した. 本研究では,ジメチルヒドラジン(DMHy)および有機砒素原料(TBAs)を用いる MOCVD 法によりGaInNAs量子井戸の成長を行った.本年度は,高品質なGaInNAs量子井戸の形成を行なう基礎技術として,...
【工学】電気電子工学：高速変調 ／光通信を含む研究件
❏キャリアエネルギー緩和現象制御に基づく半導体光デバイス(21360165)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2009 - 2011
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 (70282861)
【キーワード】光通信 / 光配線 / 半導体光デバイス / 半導体レーザ / 量子井戸 (他16件)
【概要】キャリアのエネルギー緩和を制御することにより,半導体レーザの直接変調帯域のボトルネックを解決し,高速変調動作を実現するための,量子構造の検討とその最適設計,及び実験的なデバイス製作を行った.提案構造の有効性を理論的に明らかにし,提案構造の試作と動作特性評価からは,高速動作の知見を確認するとともに,具体的な高速動作に向けた課題を明らかにした. ...
❏温度特性の良い1.2μm波長帯単一モード半導体レーザ開拓と超高速光リンクへの展開(12355016)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2000 - 2001
【研究代表者】坂口 孝浩 (2001) 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (70215622)
【キーワード】1.2μm波長帯半導体レーザ / 高歪GaInAs量子井戸構造 / 面発光レーザ / 温度特性 / 高速変調 (他11件)
【概要】平成13年度は、まず波長1.2μm帯の高歪GaInAs量子井戸構造の成長機構解明と良好な結晶性の実現を行った。成長には有機金属気相成長法を用いた。GaAs基板上に成長される高歪GaInAs薄膜の成長を行うためには、歪による3次元成長モードを抑制し、2次元成長モードを使用しなければならない。そこで、3次元成長を誘起するIn原子の基板上での拡散を抑制する成長条件が適していると予想し、成長速度の高速化・...
【工学】電気電子工学：フォトニックネットワーク ／光通信を含む研究件
❏偏波状態を利用した半導体光集積回路の開発と光通信応用(15H03985)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31
【研究代表者】種村 拓夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (90447425)
【キーワード】光集積回路 / 偏波 / 応用光学・量子光工学 / 光物性 / 半導体超微細化 (他12件)
【概要】本研究では，半導体光集積回路内で光の偏波状態を自在に制御・検出する技術を実現し，一連の偏波処理光集積回路を創製することを目的とした．インジウムリン（InP）基板上にハーフリッジ型偏波変換素子と量子井戸型変調器や受光素子をモノリシックに集積することで，小型かつ高効率な偏波変調素子と偏波アナライザが実現できることを提案し，素子の試作と実証に成功した．さらに，これらの素子を用いることで，高速な多値ストー...
❏超大容量フォトニックネットワーク用光機能回路の研究(20360162)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2008 - 2010
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90327677)
【キーワード】光導波路 / 平面光回路 / 光信号処理 / フォトニックネットワーク / 光通信 (他16件)
【概要】DVD等に利用される相変化材料を用いて、メモリ性があり高速動作可能な光スイッチを提案し、光ゲートスイッチを試作した。スイッチの寸法は5ミクロンであり、100ナノ秒以下でスイッチングすることを実証した。可変分散補償回路を設計、試作して約50kmの光ファイバの分散を補償し、劣化した波形を再生することに成功した。任意の光スペクトル制御が可能な光回路を提案し、試作した。光変調信号の操作に適した凹凸のない透...
【工学】電気電子工学：相変化材料 ／光通信を含む研究件
❏低電力再構成可能フォトニックネットワークに向けた相変化光スイッチの研究(21H01398)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2021-04-01 - 2025-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】相変化材料 / 光スイッチ / 光導波路 / シリコンフォトニクス / 省電力光ネットワーク (他6件)
【概要】シリコン光導波路にGST（GexSbyTez）、GSST（Ge2Sb2Se5-xTex）を積層した場合の複素屈折率変化に伴う伝搬光の位相変化をシミュレーションにより明らかにした。各々の結晶状態及びアモルファス状態における複素屈折率を、7.27+1.27i、4.33+0.129i、5.35+0.366i、3.19+0.0012iとする。シリコン細線導波路の場合、厚さ20 nm、長さ500 nmのGS...
❏大規模光ネットワーク構成に向けた相変化型省電力光スイッチの研究(18H01501)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2018-04-01 - 2021-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】光スイッチ / 光導波路 / 相変化材料 / 光回路 / 光三端子素子 (他11件)
【概要】相変化光スイッチに用いるGeSbTe合金にSeを添加して、波長1500 nmにおける吸収を低減し、光スイッチを低損失化できることを明らかにした。Seを添加したGeSbTe薄膜の複素屈折率（アモルファス状態、結晶状態）評価により、相変化光スイッチの性能指数も向上することも明らかにした。相変化材料を用いたマッハツェンダー型および方向性結合型の光三端子スイッチの最適化設計を行い、従来の設計に比較して良好...
❏超大容量フォトニックネットワーク用光機能回路の研究(20360162)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2008 - 2010
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90327677)
【キーワード】光導波路 / 平面光回路 / 光信号処理 / フォトニックネットワーク / 光通信 (他16件)
【概要】DVD等に利用される相変化材料を用いて、メモリ性があり高速動作可能な光スイッチを提案し、光ゲートスイッチを試作した。スイッチの寸法は5ミクロンであり、100ナノ秒以下でスイッチングすることを実証した。可変分散補償回路を設計、試作して約50kmの光ファイバの分散を補償し、劣化した波形を再生することに成功した。任意の光スペクトル制御が可能な光回路を提案し、試作した。光変調信号の操作に適した凹凸のない透...
【工学】電気電子工学：光インターコネクト ／光通信を含む研究件
❏超高速並列光データリンクのためのGaInNAs面発光レーザアレーの研究(13555091)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / 光インターコネクト / 量子構造 / 面発光レーザ (他8件)
【概要】光LANや光インターコネクトなどの短距離から都市間までをカバーする低コストな光データリンク用光源が必要になると考えられる.特に,光ファイバに適した長波長1.1-1.6μm帯で温度制御装置を必要としない面発光レーザの実現が重要である.そこで本研究では,光データリンク用の長波長帯面発光レーザを,GaAs基板上材料を用いて実現することを目的とした. まず,GaAs上材料として,高歪GaInAs,GaIn...
❏温度特性の良い1.2μm波長帯単一モード半導体レーザ開拓と超高速光リンクへの展開(12355016)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2000 - 2001
【研究代表者】坂口 孝浩 (2001) 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (70215622)
【キーワード】1.2μm波長帯半導体レーザ / 高歪GaInAs量子井戸構造 / 面発光レーザ / 温度特性 / 高速変調 (他11件)
【概要】平成13年度は、まず波長1.2μm帯の高歪GaInAs量子井戸構造の成長機構解明と良好な結晶性の実現を行った。成長には有機金属気相成長法を用いた。GaAs基板上に成長される高歪GaInAs薄膜の成長を行うためには、歪による3次元成長モードを抑制し、2次元成長モードを使用しなければならない。そこで、3次元成長を誘起するIn原子の基板上での拡散を抑制する成長条件が適していると予想し、成長速度の高速化・...
【工学】電気電子工学：光スイッチ ／光通信を含む研究件
❏低電力再構成可能フォトニックネットワークに向けた相変化光スイッチの研究(21H01398)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2021-04-01 - 2025-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】相変化材料 / 光スイッチ / 光導波路 / シリコンフォトニクス / 省電力光ネットワーク (他6件)
【概要】シリコン光導波路にGST（GexSbyTez）、GSST（Ge2Sb2Se5-xTex）を積層した場合の複素屈折率変化に伴う伝搬光の位相変化をシミュレーションにより明らかにした。各々の結晶状態及びアモルファス状態における複素屈折率を、7.27+1.27i、4.33+0.129i、5.35+0.366i、3.19+0.0012iとする。シリコン細線導波路の場合、厚さ20 nm、長さ500 nmのGS...
❏大規模光ネットワーク構成に向けた相変化型省電力光スイッチの研究(18H01501)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2018-04-01 - 2021-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】光スイッチ / 光導波路 / 相変化材料 / 光回路 / 光三端子素子 (他11件)
【概要】相変化光スイッチに用いるGeSbTe合金にSeを添加して、波長1500 nmにおける吸収を低減し、光スイッチを低損失化できることを明らかにした。Seを添加したGeSbTe薄膜の複素屈折率（アモルファス状態、結晶状態）評価により、相変化光スイッチの性能指数も向上することも明らかにした。相変化材料を用いたマッハツェンダー型および方向性結合型の光三端子スイッチの最適化設計を行い、従来の設計に比較して良好...
❏大容量フォトニックノード用波長選択光スイッチの研究(24360138)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2012-04-01 - 2015-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90327677)
【キーワード】波長選択光スイッチ / アレイ導波路回折格子 / 石英光導波路 / 誘電体光導波路 / フォトニックノード (他9件)
【概要】PLZT位相変調器アレイと石英導波路をハイブリッド接続したチャネル数20、チャネル間隔200GHzの高速波長選択光スイッチを構成した。応答時間20 ns以下の高速動作を確認した。石英多層導波路とLCOSによる大規模波長選択光スイッチモジュールを構成した。LCOSによるスイッチ内部波面補正機能を有し、良好な波長分波、スイッチング特性を示した。高速性を有する波長選択光スイッチを活用するフォトニックノー...
【工学】電気電子工学：光回路 ／光通信を含む研究件
❏大規模光ネットワーク構成に向けた相変化型省電力光スイッチの研究(18H01501)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2018-04-01 - 2021-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】光スイッチ / 光導波路 / 相変化材料 / 光回路 / 光三端子素子 (他11件)
【概要】相変化光スイッチに用いるGeSbTe合金にSeを添加して、波長1500 nmにおける吸収を低減し、光スイッチを低損失化できることを明らかにした。Seを添加したGeSbTe薄膜の複素屈折率（アモルファス状態、結晶状態）評価により、相変化光スイッチの性能指数も向上することも明らかにした。相変化材料を用いたマッハツェンダー型および方向性結合型の光三端子スイッチの最適化設計を行い、従来の設計に比較して良好...
❏超高コヒ-レント光回路アナライジングならびにその応用に関する基礎的研究(63420034)
【研究テーマ】電子機器工学
【研究種目】一般研究(A)
【研究期間】1988 - 1990
【研究代表者】大越 孝敬 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (70010709)
【キーワード】コヒ-レンス / 光回路 / 光デバイス / 光回路・デバイス診断 / 光通信 (他14件)
【概要】本研究では、超高コヒ-レント光源を用いる光機能システムならびにその要素光デバイスを評価・設計する手法、即ち「超高コヒ-レント光回路アナライジング」用のハ-ドウェアとソフトウェアを開発するための基礎研究を進めた。アナライジング手法の開拓のみならず、その対象となる光デバイスおよびシステムの研究そのものも部分的に目的とした。 アナライジングハ-ドウェアとしては、研究代表者が考案した「光波ネットワ-クアナ...
【工学】電気電子工学：光信号処理 ／光通信を含む研究件
❏全光信号処理を廃した超高速光通信を実現する光時間周波数離散直交変換技術(18H03788)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2018-04-01 - 2023-03-31
【研究代表者】坂本 高秀 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (70392727)
【キーワード】超高速光変調 / 超高速光復調 / 光通信 / 光変調 / 光復調 (他6件)
【概要】本年度は，数値計算により，光時間周波数離散直交変換器の原理の確認をおこなった．本研究の第一の課題である，超高速光変調機能の実証に向け，その原理確認を行った．具体的には，超高速光変調に不可欠な，1)光直交変調，2)直交基底整形，3)時間周波数投影，の各機能を，検討する位相変調アレイ構造を用いることにより実施できることを確認した． まず，光多周波成分からなる光コム信号の発生を検討することにより，静的な...
❏超大容量フォトニックネットワーク用光機能回路の研究(20360162)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2008 - 2010
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90327677)
【キーワード】光導波路 / 平面光回路 / 光信号処理 / フォトニックネットワーク / 光通信 (他16件)
【概要】DVD等に利用される相変化材料を用いて、メモリ性があり高速動作可能な光スイッチを提案し、光ゲートスイッチを試作した。スイッチの寸法は5ミクロンであり、100ナノ秒以下でスイッチングすることを実証した。可変分散補償回路を設計、試作して約50kmの光ファイバの分散を補償し、劣化した波形を再生することに成功した。任意の光スペクトル制御が可能な光回路を提案し、試作した。光変調信号の操作に適した凹凸のない透...
【工学】電気電子工学：光導波路 ／光通信を含む研究件
❏低電力再構成可能フォトニックネットワークに向けた相変化光スイッチの研究(21H01398)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2021-04-01 - 2025-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】相変化材料 / 光スイッチ / 光導波路 / シリコンフォトニクス / 省電力光ネットワーク (他6件)
【概要】シリコン光導波路にGST（GexSbyTez）、GSST（Ge2Sb2Se5-xTex）を積層した場合の複素屈折率変化に伴う伝搬光の位相変化をシミュレーションにより明らかにした。各々の結晶状態及びアモルファス状態における複素屈折率を、7.27+1.27i、4.33+0.129i、5.35+0.366i、3.19+0.0012iとする。シリコン細線導波路の場合、厚さ20 nm、長さ500 nmのGS...
❏大規模光ネットワーク構成に向けた相変化型省電力光スイッチの研究(18H01501)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2018-04-01 - 2021-03-31
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授 (90327677)
【キーワード】光スイッチ / 光導波路 / 相変化材料 / 光回路 / 光三端子素子 (他11件)
【概要】相変化光スイッチに用いるGeSbTe合金にSeを添加して、波長1500 nmにおける吸収を低減し、光スイッチを低損失化できることを明らかにした。Seを添加したGeSbTe薄膜の複素屈折率（アモルファス状態、結晶状態）評価により、相変化光スイッチの性能指数も向上することも明らかにした。相変化材料を用いたマッハツェンダー型および方向性結合型の光三端子スイッチの最適化設計を行い、従来の設計に比較して良好...
❏超大容量フォトニックネットワーク用光機能回路の研究(20360162)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2008 - 2010
【研究代表者】津田 裕之 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90327677)
【キーワード】光導波路 / 平面光回路 / 光信号処理 / フォトニックネットワーク / 光通信 (他16件)
【概要】DVD等に利用される相変化材料を用いて、メモリ性があり高速動作可能な光スイッチを提案し、光ゲートスイッチを試作した。スイッチの寸法は5ミクロンであり、100ナノ秒以下でスイッチングすることを実証した。可変分散補償回路を設計、試作して約50kmの光ファイバの分散を補償し、劣化した波形を再生することに成功した。任意の光スペクトル制御が可能な光回路を提案し、試作した。光変調信号の操作に適した凹凸のない透...
【工学】電気電子工学：GaInNAs ／光通信を含む研究件
❏波長1.55μm帯GaInNAs/GaAsレーザに関する研究(14750257)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2002 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / GaAs / 結晶成長 / 量子井戸 (他7件)
【概要】光通信用波長1.55μm帯レーザのGaAs基板上への形成が望まれる.窒素を含むGaInNAsやGaInAs量子ドットが有望だが,波長1.3μmを越えるレーザの実現には,結晶の発光効率の向上が必要である.本研究では,GaAs基板上マ波長1.3μmを越える発光材料の結晶成長特性と発光特性への影響解明を目的とした. 本年は,自己形成量子ドットの発光効率向上のため,結晶成長時の表面エネルギーを変化させるサ...
❏超高速並列光データリンクのためのGaInNAs面発光レーザアレーの研究(13555091)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / 光インターコネクト / 量子構造 / 面発光レーザ (他8件)
【概要】光LANや光インターコネクトなどの短距離から都市間までをカバーする低コストな光データリンク用光源が必要になると考えられる.特に,光ファイバに適した長波長1.1-1.6μm帯で温度制御装置を必要としない面発光レーザの実現が重要である.そこで本研究では,光データリンク用の長波長帯面発光レーザを,GaAs基板上材料を用いて実現することを目的とした. まず,GaAs上材料として,高歪GaInAs,GaIn...
❏有機金属気相成長法によるGaInNAs成長と長波長帯面発光レーザへの応用(10750224)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】奨励研究(A)
【研究期間】1998 - 1999
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 講師 (70282861)
【キーワード】GaInNAs / GaInAs / 量子井戸 / MOCVD法 / 半導体結晶成長 (他7件)
【概要】波長1.3μm帯面発光レーザ実現のため,有機金属気相成長(MOCVD)法によるGaInNAs/GaAs量子井戸の結晶成長技術を確立し,長波長帯面発光レーザの活性層に適用することを目指した. 本研究では,ジメチルヒドラジン(DMHy)および有機砒素原料(TBAs)を用いる MOCVD 法によりGaInNAs量子井戸の成長を行った.本年度は,高品質なGaInNAs量子井戸の形成を行なう基礎技術として,...
【工学】電気電子工学：面発光レーザー ／光通信を含む研究件
❏超高速並列光データリンクのためのGaInNAs面発光レーザアレーの研究(13555091)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / 光インターコネクト / 量子構造 / 面発光レーザ (他8件)
【概要】光LANや光インターコネクトなどの短距離から都市間までをカバーする低コストな光データリンク用光源が必要になると考えられる.特に,光ファイバに適した長波長1.1-1.6μm帯で温度制御装置を必要としない面発光レーザの実現が重要である.そこで本研究では,光データリンク用の長波長帯面発光レーザを,GaAs基板上材料を用いて実現することを目的とした. まず,GaAs上材料として,高歪GaInAs,GaIn...
❏温度特性の良い1.2μm波長帯単一モード半導体レーザ開拓と超高速光リンクへの展開(12355016)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2000 - 2001
【研究代表者】坂口 孝浩 (2001) 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (70215622)
【キーワード】1.2μm波長帯半導体レーザ / 高歪GaInAs量子井戸構造 / 面発光レーザ / 温度特性 / 高速変調 (他11件)
【概要】平成13年度は、まず波長1.2μm帯の高歪GaInAs量子井戸構造の成長機構解明と良好な結晶性の実現を行った。成長には有機金属気相成長法を用いた。GaAs基板上に成長される高歪GaInAs薄膜の成長を行うためには、歪による3次元成長モードを抑制し、2次元成長モードを使用しなければならない。そこで、3次元成長を誘起するIn原子の基板上での拡散を抑制する成長条件が適していると予想し、成長速度の高速化・...
❏有機金属気相成長法によるGaInNAs成長と長波長帯面発光レーザへの応用(10750224)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】奨励研究(A)
【研究期間】1998 - 1999
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 講師 (70282861)
【キーワード】GaInNAs / GaInAs / 量子井戸 / MOCVD法 / 半導体結晶成長 (他7件)
【概要】波長1.3μm帯面発光レーザ実現のため,有機金属気相成長(MOCVD)法によるGaInNAs/GaAs量子井戸の結晶成長技術を確立し,長波長帯面発光レーザの活性層に適用することを目指した. 本研究では,ジメチルヒドラジン(DMHy)および有機砒素原料(TBAs)を用いる MOCVD 法によりGaInNAs量子井戸の成長を行った.本年度は,高品質なGaInNAs量子井戸の形成を行なう基礎技術として,...
【工学】電気電子工学：微小光学 ／光通信を含む研究件
❏温度特性の良い1.2μm波長帯単一モード半導体レーザ開拓と超高速光リンクへの展開(12355016)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2000 - 2001
【研究代表者】坂口 孝浩 (2001) 東京工業大学, 精密工学研究所, 助手 (70215622)
【キーワード】1.2μm波長帯半導体レーザ / 高歪GaInAs量子井戸構造 / 面発光レーザ / 温度特性 / 高速変調 (他11件)
【概要】平成13年度は、まず波長1.2μm帯の高歪GaInAs量子井戸構造の成長機構解明と良好な結晶性の実現を行った。成長には有機金属気相成長法を用いた。GaAs基板上に成長される高歪GaInAs薄膜の成長を行うためには、歪による3次元成長モードを抑制し、2次元成長モードを使用しなければならない。そこで、3次元成長を誘起するIn原子の基板上での拡散を抑制する成長条件が適していると予想し、成長速度の高速化・...
❏2次元超並列を可能とする自導光回路の設計と試作に関する研究(05555096)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】試験研究(B)
【研究期間】1993 - 1994
【研究代表者】伊賀 健一 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
【キーワード】光マイクロコネクタ / 平板マイクロレンズ / 自導結合 / レンズジャック / ファイバープラグ (他13件)
【概要】超並列光エレクトロニクス技術の重要課題として、光軸の精密調整なしに光ファイバや半導体レーザなどの光素子を接続する“自導光回路"を提案、特許申請するとともに、基礎的な特性の把握を行ってその有効性を示した。本方法は2次元アレー平板マイクロレンズを活用し自導構成法によって、光ファイバを無調整で光素子と接続することを特徴とする。本研究では、この接続方法を基本とし、より多くの機能を集中化した光回路の...
【工学】総合工学：レーザー加工 ／光通信を含む研究件
❏ハイパワーフェムト秒レーザーによるウェラブル超小型ジャイロセンサーの開発(13555196)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】超短パルスレーザー / フェムト秒 / レーザー加工 / 石英結晶板 / ジャイロセンサー (他14件)
【概要】パルスレーザー光と物質の相互作用は、そのパルス幅とエネルギー密度によって大きく異なり、物理的過程のみならず、化学的過程の変化が複雑に絡み合っている。レーザーによる光デバイスなどを指向した精密な材料加工の観点からは、このような基礎的な過程に影響するパラメーターを系統的に整理して、新しいレーザー加工の概念を構築する必要がある。本研究は、極短パルスレーザーによる石英結晶板の微細パターン加工を行い、極短パ...
❏フェムト秒テラワットレーザーを用いたセラミックスの精密加工(11555182)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】フェムト秒レーザー / レーザー加工 / 誘電破壊 / セラミックス / テラワット (他8件)
【概要】初年度は、テラワットレーザーシステムの大型真空チャンバー内にターゲット位置を外部から精密に制御できる真空対応5軸ステージを設置した。予備的な加工条件洗い出し実験としてシリコンが誘電破壊を生じる臨界的な条件を探索した。300ps幅のレーザー光での臨界フルーエンス値は0.4J/cm^2で、既存データの外挿曲線上に一致した。また、真空環境と大気中とでは、後者の方が臨界条件が低下した。次年度では,溶融石英...
【工学】総合工学：フェムト秒レーザー ／光通信を含む研究件
❏ハイパワーフェムト秒レーザーによるウェラブル超小型ジャイロセンサーの開発(13555196)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】超短パルスレーザー / フェムト秒 / レーザー加工 / 石英結晶板 / ジャイロセンサー (他14件)
【概要】パルスレーザー光と物質の相互作用は、そのパルス幅とエネルギー密度によって大きく異なり、物理的過程のみならず、化学的過程の変化が複雑に絡み合っている。レーザーによる光デバイスなどを指向した精密な材料加工の観点からは、このような基礎的な過程に影響するパラメーターを系統的に整理して、新しいレーザー加工の概念を構築する必要がある。本研究は、極短パルスレーザーによる石英結晶板の微細パターン加工を行い、極短パ...
❏フェムト秒テラワットレーザーを用いたセラミックスの精密加工(11555182)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】フェムト秒レーザー / レーザー加工 / 誘電破壊 / セラミックス / テラワット (他8件)
【概要】初年度は、テラワットレーザーシステムの大型真空チャンバー内にターゲット位置を外部から精密に制御できる真空対応5軸ステージを設置した。予備的な加工条件洗い出し実験としてシリコンが誘電破壊を生じる臨界的な条件を探索した。300ps幅のレーザー光での臨界フルーエンス値は0.4J/cm^2で、既存データの外挿曲線上に一致した。また、真空環境と大気中とでは、後者の方が臨界条件が低下した。次年度では,溶融石英...
【工学】総合工学：量子井戸 ／光通信を含む研究件
❏キャリアエネルギー緩和現象制御に基づく半導体光デバイス(21360165)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2009 - 2011
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 (70282861)
【キーワード】光通信 / 光配線 / 半導体光デバイス / 半導体レーザ / 量子井戸 (他16件)
【概要】キャリアのエネルギー緩和を制御することにより,半導体レーザの直接変調帯域のボトルネックを解決し,高速変調動作を実現するための,量子構造の検討とその最適設計,及び実験的なデバイス製作を行った.提案構造の有効性を理論的に明らかにし,提案構造の試作と動作特性評価からは,高速動作の知見を確認するとともに,具体的な高速動作に向けた課題を明らかにした. ...
❏波長1.55μm帯GaInNAs/GaAsレーザに関する研究(14750257)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2002 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / GaAs / 結晶成長 / 量子井戸 (他7件)
【概要】光通信用波長1.55μm帯レーザのGaAs基板上への形成が望まれる.窒素を含むGaInNAsやGaInAs量子ドットが有望だが,波長1.3μmを越えるレーザの実現には,結晶の発光効率の向上が必要である.本研究では,GaAs基板上マ波長1.3μmを越える発光材料の結晶成長特性と発光特性への影響解明を目的とした. 本年は,自己形成量子ドットの発光効率向上のため,結晶成長時の表面エネルギーを変化させるサ...
❏有機金属気相成長法によるGaInNAs成長と長波長帯面発光レーザへの応用(10750224)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】奨励研究(A)
【研究期間】1998 - 1999
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 講師 (70282861)
【キーワード】GaInNAs / GaInAs / 量子井戸 / MOCVD法 / 半導体結晶成長 (他7件)
【概要】波長1.3μm帯面発光レーザ実現のため,有機金属気相成長(MOCVD)法によるGaInNAs/GaAs量子井戸の結晶成長技術を確立し,長波長帯面発光レーザの活性層に適用することを目指した. 本研究では,ジメチルヒドラジン(DMHy)および有機砒素原料(TBAs)を用いる MOCVD 法によりGaInNAs量子井戸の成長を行った.本年度は,高品質なGaInNAs量子井戸の形成を行なう基礎技術として,...
【工学】総合工学：微細加工 ／光通信を含む研究件
❏ハイパワーフェムト秒レーザーによるウェラブル超小型ジャイロセンサーの開発(13555196)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】超短パルスレーザー / フェムト秒 / レーザー加工 / 石英結晶板 / ジャイロセンサー (他14件)
【概要】パルスレーザー光と物質の相互作用は、そのパルス幅とエネルギー密度によって大きく異なり、物理的過程のみならず、化学的過程の変化が複雑に絡み合っている。レーザーによる光デバイスなどを指向した精密な材料加工の観点からは、このような基礎的な過程に影響するパラメーターを系統的に整理して、新しいレーザー加工の概念を構築する必要がある。本研究は、極短パルスレーザーによる石英結晶板の微細パターン加工を行い、極短パ...
❏フェムト秒テラワットレーザーを用いたセラミックスの精密加工(11555182)
【研究テーマ】材料加工・処理
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】近藤 建一 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50111670)
【キーワード】フェムト秒レーザー / レーザー加工 / 誘電破壊 / セラミックス / テラワット (他8件)
【概要】初年度は、テラワットレーザーシステムの大型真空チャンバー内にターゲット位置を外部から精密に制御できる真空対応5軸ステージを設置した。予備的な加工条件洗い出し実験としてシリコンが誘電破壊を生じる臨界的な条件を探索した。300ps幅のレーザー光での臨界フルーエンス値は0.4J/cm^2で、既存データの外挿曲線上に一致した。また、真空環境と大気中とでは、後者の方が臨界条件が低下した。次年度では,溶融石英...
【工学】総合工学：光集積回路 ／光通信を含む研究件
❏偏波状態を利用した半導体光集積回路の開発と光通信応用(15H03985)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2015-04-01 - 2018-03-31
【研究代表者】種村 拓夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (90447425)
【キーワード】光集積回路 / 偏波 / 応用光学・量子光工学 / 光物性 / 半導体超微細化 (他12件)
【概要】本研究では，半導体光集積回路内で光の偏波状態を自在に制御・検出する技術を実現し，一連の偏波処理光集積回路を創製することを目的とした．インジウムリン（InP）基板上にハーフリッジ型偏波変換素子と量子井戸型変調器や受光素子をモノリシックに集積することで，小型かつ高効率な偏波変調素子と偏波アナライザが実現できることを提案し，素子の試作と実証に成功した．さらに，これらの素子を用いることで，高速な多値ストー...
❏集積化可能な超高速カーボンナノチューブ発光素子開発(23686055)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2011-04-01 - 2014-03-31
【研究代表者】牧 英之 慶應義塾大学, 理工学部, 准教授 (10339715)
【キーワード】光デバイス・光回路 / カーボンナノチューブ / 発光素子 / 半導体 / 光集積回路 (他7件)
【概要】本研究では、カーボンナノチューブ用いて超高速・超小型の発光素子を開発することを目的としている。ここでは、半導体でのエレクトロルミネッセンス発光素子および黒体放射による発光素子について検討した。エレクトロルミネッセンス発光素子および黒体放射素子では、その発光機構の解明およびデバイス構造最適化による高速発光素子の作製に成功した。また、光通信測定では、微弱光下での測定系作製に成功した。また、微小共振器を...
❏超高速並列光データリンクのためのGaInNAs面発光レーザアレーの研究(13555091)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / 光インターコネクト / 量子構造 / 面発光レーザ (他8件)
【概要】光LANや光インターコネクトなどの短距離から都市間までをカバーする低コストな光データリンク用光源が必要になると考えられる.特に,光ファイバに適した長波長1.1-1.6μm帯で温度制御装置を必要としない面発光レーザの実現が重要である.そこで本研究では,光データリンク用の長波長帯面発光レーザを,GaAs基板上材料を用いて実現することを目的とした. まず,GaAs上材料として,高歪GaInAs,GaIn...
【工学】総合工学：半導体レーザー ／光通信を含む研究件
❏キャリアエネルギー緩和現象制御に基づく半導体光デバイス(21360165)
【研究テーマ】電子デバイス・電子機器
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2009 - 2011
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 (70282861)
【キーワード】光通信 / 光配線 / 半導体光デバイス / 半導体レーザ / 量子井戸 (他16件)
【概要】キャリアのエネルギー緩和を制御することにより,半導体レーザの直接変調帯域のボトルネックを解決し,高速変調動作を実現するための,量子構造の検討とその最適設計,及び実験的なデバイス製作を行った.提案構造の有効性を理論的に明らかにし,提案構造の試作と動作特性評価からは,高速動作の知見を確認するとともに,具体的な高速動作に向けた課題を明らかにした. ...
❏波長1.55μm帯GaInNAs/GaAsレーザに関する研究(14750257)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2002 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / GaAs / 結晶成長 / 量子井戸 (他7件)
【概要】光通信用波長1.55μm帯レーザのGaAs基板上への形成が望まれる.窒素を含むGaInNAsやGaInAs量子ドットが有望だが,波長1.3μmを越えるレーザの実現には,結晶の発光効率の向上が必要である.本研究では,GaAs基板上マ波長1.3μmを越える発光材料の結晶成長特性と発光特性への影響解明を目的とした. 本年は,自己形成量子ドットの発光効率向上のため,結晶成長時の表面エネルギーを変化させるサ...
❏超高速並列光データリンクのためのGaInNAs面発光レーザアレーの研究(13555091)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2003
【研究代表者】宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教授 (70282861)
【キーワード】半導体レーザ / 光通信 / 光インターコネクト / 量子構造 / 面発光レーザ (他8件)
【概要】光LANや光インターコネクトなどの短距離から都市間までをカバーする低コストな光データリンク用光源が必要になると考えられる.特に,光ファイバに適した長波長1.1-1.6μm帯で温度制御装置を必要としない面発光レーザの実現が重要である.そこで本研究では,光データリンク用の長波長帯面発光レーザを,GaAs基板上材料を用いて実現することを目的とした. まず,GaAs上材料として,高歪GaInAs,GaIn...
【工学】総合工学：光ファイバー ／光通信を含む研究件
❏2次元超並列を可能とする自導光回路の設計と試作に関する研究(05555096)
【研究テーマ】電子デバイス・機器工学
【研究種目】試験研究(B)
【研究期間】1993 - 1994
【研究代表者】伊賀 健一 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
【キーワード】光マイクロコネクタ / 平板マイクロレンズ / 自導結合 / レンズジャック / ファイバープラグ (他13件)
【概要】超並列光エレクトロニクス技術の重要課題として、光軸の精密調整なしに光ファイバや半導体レーザなどの光素子を接続する“自導光回路"を提案、特許申請するとともに、基礎的な特性の把握を行ってその有効性を示した。本方法は2次元アレー平板マイクロレンズを活用し自導構成法によって、光ファイバを無調整で光素子と接続することを特徴とする。本研究では、この接続方法を基本とし、より多くの機能を集中化した光回路の...
❏光ファイバの加熱時における被覆材料物性の通信特性におよぼす影響(03832012)
【研究テーマ】社会システム工学
【研究種目】一般研究(C)
【研究期間】1991
【研究代表者】平野 敏右 東京大学, 工学部, 教授 (70007615)
【キーワード】光ファイバ / 光通信 / 火災 / 被覆材料 / 耐熱性
【概要】大容量の通信線として、最近利用が増加している光ファイバケ-ブルが、火災などの加熱環境に置かれた時に受ける影響について、実験により検討した。 今回の実験では、無機系光ファイバの石英系光ファイバを取り上げ、種々の材料で被覆されたものについて、被覆材料の熱特性の影響について検討した。これらを、加熱装置中で種々の昇温速度で加熱し、その時の温度変化に対する、伝送信号光強度を測定し、光伝送特性について検討した...
❏超高コヒ-レント光回路アナライジングならびにその応用に関する基礎的研究(63420034)
【研究テーマ】電子機器工学
【研究種目】一般研究(A)
【研究期間】1988 - 1990
【研究代表者】大越 孝敬 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (70010709)
【キーワード】コヒ-レンス / 光回路 / 光デバイス / 光回路・デバイス診断 / 光通信 (他14件)
【概要】本研究では、超高コヒ-レント光源を用いる光機能システムならびにその要素光デバイスを評価・設計する手法、即ち「超高コヒ-レント光回路アナライジング」用のハ-ドウェアとソフトウェアを開発するための基礎研究を進めた。アナライジング手法の開拓のみならず、その対象となる光デバイスおよびシステムの研究そのものも部分的に目的とした。 アナライジングハ-ドウェアとしては、研究代表者が考案した「光波ネットワ-クアナ...
【工学】総合工学：光計測 ／光通信を含む研究件
❏時間相関型イメージセンサの実用化開発と新しいパターン計測技術への応用研究(17360189)
【研究テーマ】計測工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2005 - 2007
【研究代表者】安藤 繁 東京大学, 大学院・情報理工学系研究科, 教授 (70134468)
【キーワード】時間相関型イメージセンサ / CMOS / 画像センシング / 光計測 / 相関カメラ (他12件)
【概要】本研究では,時間相関イメージセンサデバイスの性能向上と応用計測技術の発展の両面に関して、飛躍的な進展を実現することができた。 デバイス面では,企業との密接な協力のもと,これまでの研究で明らかになった設計指針と理論的数値的な解析によって基本設計を行い,この設計を企業側が固有の半導体プロセスに適合させるように修正し,また固有のIPを組み合わせることにより具体設計を行い,320x256画素の実用に近いデ...
❏超高コヒ-レント光回路アナライジングならびにその応用に関する基礎的研究(63420034)
【研究テーマ】電子機器工学
【研究種目】一般研究(A)
【研究期間】1988 - 1990
【研究代表者】大越 孝敬 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (70010709)
【キーワード】コヒ-レンス / 光回路 / 光デバイス / 光回路・デバイス診断 / 光通信 (他14件)
【概要】本研究では、超高コヒ-レント光源を用いる光機能システムならびにその要素光デバイスを評価・設計する手法、即ち「超高コヒ-レント光回路アナライジング」用のハ-ドウェアとソフトウェアを開発するための基礎研究を進めた。アナライジング手法の開拓のみならず、その対象となる光デバイスおよびシステムの研究そのものも部分的に目的とした。 アナライジングハ-ドウェアとしては、研究代表者が考案した「光波ネットワ-クアナ...
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