キャリアエネルギー緩和現象制御に基づく半導体光デバイス
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
光通信 / 光配線 / 半導体光デバイス / 半導体レーザ / 量子井戸 / 半導体物性 / キャリア緩和 / 高速変調 / MBE,エピタキシャル / 電子デバイス・機器 / 半導体レーザー / 直接変調 / 共鳴トンネル / 半導体光増幅器 / 光情報伝送 / キャリア分布
【研究成果の概要】
キャリアのエネルギー緩和を制御することにより,半導体レーザの直接変調帯域のボトルネックを解決し,高速変調動作を実現するための,量子構造の検討とその最適設計,及び実験的なデバイス製作を行った.提案構造の有効性を理論的に明らかにし,提案構造の試作と動作特性評価からは,高速動作の知見を確認するとともに,具体的な高速動作に向けた課題を明らかにした.
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2009 - 2011
【配分額】17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)