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キーワード  半導体表面 が関係する  研究 Discovery Saga
「半導体表面」サイレントキーワードを含む研究
【複合領域】一般理論:金属超薄膜半導体表面を含む研究件
❏表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究(06455007)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 (他6件)
【概要】我々はSi上の金属のエピタクシー過程について、RHEED(反射高速電子回折)、TRAXS(全反射角X線分光)、表面電気伝導の測定等の方法で構造、組成、物性の研究を行ってきた。RHEEDは逆格子を通しての構造研究に有力であり、STM(走査型トンネル顕微鏡)は実格子の研究に有力である。そこで我々は既設のRHEED-TRAXS装置にSTMを結合させ、上記現象の解明を試みることを目的とした。 平成6年度に...
❏低温用反射高速電子回析・成長表面原子層物性測定装置(05559005)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】試験研究(B)
【研究期間】1993 - 1994
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 / 金属超薄膜 (他6件)
【概要】平成5〜6年度において、低温用反射高速電子回析(RHEED)・表面原子層物性測定のための試料ホルダーと各種の測定装置を作製し、これを既設の超高真空RHEED装置に取り付けた。これを用いて、エピタクシー過程における、RHEED強度振動、表面元素の深さ分布、表面電気伝導などの測定を行った。 エピタクシャル成長を支配する重要な因子は、下地表面の温度、蒸着の速度、原子の供給方法などである。そこでSi(ll...
【数物系科学】物理学:低次元超伝導半導体表面を含む研究件
❏空間反転対称性がない半導体表面に創成されるスピン物性と単原子層超伝導(25400316)
【研究テーマ】物性Ⅰ
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2013-04-01 - 2017-03-31
【研究代表者】枡富 龍一 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (00397027)
【キーワード】2次元電子系 / 単原子層超伝導 / 半導体表面 / 表面2次元電子系 / 低次元超伝導 (他6件)
【概要】本研究により極低温・強磁場中で動作可能な走査トンネル顕微鏡(STM)と電気抵抗測定を組み合わせた装置を開発した。そして、この装置を用いて吸着原子が誘起する表面2次元電子系に実現する量子ホール状態を調べた。特に、STMを用いて求められた電子相関から生じる増強効果の大きさを用いれば、電気抵抗測定から得られたシュブニコフ・ド・ハース振動を精度よく説明できることがわかった。また、単原子層の超伝導鉛を用いた...
❏半導体表面に創製されるスピン物性と2次元超伝導(23740233)
【研究テーマ】物性Ⅰ
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2011 - 2012
【研究代表者】枡富 龍一 東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (00397027)
【キーワード】表面・界面 / 半導体表面 / 2次元電子系 / 低次元超伝導 / 2次元電子系 (他6件)
【概要】試料を作成したその場で走査トンネル分光顕微鏡(STM/S)と電気伝導特性を同時に測定できる装置を用いて、吸着原子が誘起する表面2次元電子系の研究と単原子層鉛を用いた2次元超伝導体の研究を行った。表面2次元電子系の研究では吸着物質の表面形態を明らかにした上で、走査トンネル分光法により空間的に平均化された状態密度の観測に成功した。また、空間反転対称性が破れた単原子層鉛を用いた研究においては面内磁場依存...
【数物系科学】物理学:2次元電子系半導体表面を含む研究件
❏空間反転対称性がない半導体表面に創成されるスピン物性と単原子層超伝導(25400316)
【研究テーマ】物性Ⅰ
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2013-04-01 - 2017-03-31
【研究代表者】枡富 龍一 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (00397027)
【キーワード】2次元電子系 / 単原子層超伝導 / 半導体表面 / 表面2次元電子系 / 低次元超伝導 (他6件)
【概要】本研究により極低温・強磁場中で動作可能な走査トンネル顕微鏡(STM)と電気抵抗測定を組み合わせた装置を開発した。そして、この装置を用いて吸着原子が誘起する表面2次元電子系に実現する量子ホール状態を調べた。特に、STMを用いて求められた電子相関から生じる増強効果の大きさを用いれば、電気抵抗測定から得られたシュブニコフ・ド・ハース振動を精度よく説明できることがわかった。また、単原子層の超伝導鉛を用いた...
❏半導体表面に創製されるスピン物性と2次元超伝導(23740233)
【研究テーマ】物性Ⅰ
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2011 - 2012
【研究代表者】枡富 龍一 東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (00397027)
【キーワード】表面・界面 / 半導体表面 / 2次元電子系 / 低次元超伝導 / 2次元電子系 (他6件)
【概要】試料を作成したその場で走査トンネル分光顕微鏡(STM/S)と電気伝導特性を同時に測定できる装置を用いて、吸着原子が誘起する表面2次元電子系の研究と単原子層鉛を用いた2次元超伝導体の研究を行った。表面2次元電子系の研究では吸着物質の表面形態を明らかにした上で、走査トンネル分光法により空間的に平均化された状態密度の観測に成功した。また、空間反転対称性が破れた単原子層鉛を用いた研究においては面内磁場依存...
【数物系科学】物理学:エピタクシー半導体表面を含む研究件
❏表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究(06455007)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 (他6件)
【概要】我々はSi上の金属のエピタクシー過程について、RHEED(反射高速電子回折)、TRAXS(全反射角X線分光)、表面電気伝導の測定等の方法で構造、組成、物性の研究を行ってきた。RHEEDは逆格子を通しての構造研究に有力であり、STM(走査型トンネル顕微鏡)は実格子の研究に有力である。そこで我々は既設のRHEED-TRAXS装置にSTMを結合させ、上記現象の解明を試みることを目的とした。 平成6年度に...
❏低温用反射高速電子回析・成長表面原子層物性測定装置(05559005)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】試験研究(B)
【研究期間】1993 - 1994
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 / 金属超薄膜 (他6件)
【概要】平成5〜6年度において、低温用反射高速電子回析(RHEED)・表面原子層物性測定のための試料ホルダーと各種の測定装置を作製し、これを既設の超高真空RHEED装置に取り付けた。これを用いて、エピタクシー過程における、RHEED強度振動、表面元素の深さ分布、表面電気伝導などの測定を行った。 エピタクシャル成長を支配する重要な因子は、下地表面の温度、蒸着の速度、原子の供給方法などである。そこでSi(ll...
❏超高真空走査電顕による半導体上の金属エピタクシー過程の原子線観察と局所解析(04452035)
【研究テーマ】固体物性
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1992 - 1993
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】走査電子顕微鏡 / エピタクシー / 表面構造 / 半導体表面 / 反射高速電子回折(RHEED) (他6件)
【概要】平成4年度には「結晶試料の表面状態検出用の小型真空槽」を作製し、これを超高真空走査電子顕微鏡(UHV-SEM)と連結した。これにより試料表面の構造は反射高速電子回折(RHEED)により、表面の元素分析は全反射角X線分光(TRAXS)により前もって詳しく調べ、その試料をUHV-SEM本体に移送し、そのまま真空を破ることなく、SEM観察ができる装置として完成させた。 次に、Si(111)上にAu、Ag...
【数物系科学】物理学:反射高速電子回折(RHEED)半導体表面を含む研究件
❏表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究(06455007)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 (他6件)
【概要】我々はSi上の金属のエピタクシー過程について、RHEED(反射高速電子回折)、TRAXS(全反射角X線分光)、表面電気伝導の測定等の方法で構造、組成、物性の研究を行ってきた。RHEEDは逆格子を通しての構造研究に有力であり、STM(走査型トンネル顕微鏡)は実格子の研究に有力である。そこで我々は既設のRHEED-TRAXS装置にSTMを結合させ、上記現象の解明を試みることを目的とした。 平成6年度に...
❏低温用反射高速電子回析・成長表面原子層物性測定装置(05559005)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】試験研究(B)
【研究期間】1993 - 1994
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 / 金属超薄膜 (他6件)
【概要】平成5〜6年度において、低温用反射高速電子回析(RHEED)・表面原子層物性測定のための試料ホルダーと各種の測定装置を作製し、これを既設の超高真空RHEED装置に取り付けた。これを用いて、エピタクシー過程における、RHEED強度振動、表面元素の深さ分布、表面電気伝導などの測定を行った。 エピタクシャル成長を支配する重要な因子は、下地表面の温度、蒸着の速度、原子の供給方法などである。そこでSi(ll...
❏金属の吸着した半導体表面の原子配列構造及び電子状態と電気的特性との関連の解明(04640328)
【研究テーマ】固体物性
【研究種目】一般研究(C)
【研究期間】1992
【研究代表者】長谷川 修司 東京大学, 理学部, 助手 (00228446)
【キーワード】半導体表面 / 表面電気伝導 / 反射高速電子回折 / 表面電子状態 / 空間電荷層 (他8件)
【概要】本研究は、半導体表面構造及びその上のエピタクシャル金属超薄膜の構造と、その電気的特性(表面電気伝導やホール効果など)の関連を明かにすることを目的とする。表面・薄膜の構造やエピタクシャル成長を原子レベルで解析・制御しながら、その電気的特性の測定をその場(in‐situ)で同時に行うことに本研究の特徴がある。これにより、表面・界面の単原子層程度の構造に敏感に依存した物性の発現を捉えることができ、新しい...
【数物系科学】物理学:光電子分光半導体表面を含む研究件
❏酸化物半導体表面の光誘起電子輸送現象の研究(23560020)
【研究テーマ】薄膜・表面界面物性
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2011 - 2013
【研究代表者】松田 巌 東京大学, 物性研究所, 准教授 (00343103)
【キーワード】酸化物半導体 / 光電子分光 / キャリアダイナミクス / 光起電力 / 光触媒 (他10件)
【概要】強相関物理や光触媒化学として重要な酸化物半導体表面における電子構造及びキャリアダイナミクスを高分解能角度分解光電子分光とSPring-8 BL07LSUにて開発した時間分解光電子分光で調べた。SrTiO3やZnOの表面は水素吸着や表面欠陥の導入で表面金属化でき、比較的強い電子相関もあった。キャリアダイナミクスは表面光起電力の発生とその緩和過程から研究をした。光触媒のTiO2結晶のナノ粒子ではアナタ...
❏半導体表面上ナノ構造のフェルミオロジー(14702008)
【研究テーマ】固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2002 - 2004
【研究代表者】松田 巌 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助手 (00343103)
【キーワード】フェルミオロジー / 表面 / 低次元物性 / 輸送現象 / 半導体表面 (他7件)
【概要】本研究では、光電子分光によるフェルミ面マッピングの結果を元に、固体表面の低次元物性及びその電子輸送現象を調べている。本年度は、本プロジェクトで立ち上げた光電子分光装置を使用し、Si表面上Pb超薄膜やAu単原子層など様々な系のバンド及びフェルミ面のマッピングを行った。その中で自由電子的バンドを有するSi(111)/3x/3-Ag表面への一価金属(アルカリ金属、貴金属)吸着系を特に注目した。これら吸着...
【数物系科学】物理学:表面電気伝導半導体表面を含む研究件
❏酸化物半導体表面の光誘起電子輸送現象の研究(23560020)
【研究テーマ】薄膜・表面界面物性
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2011 - 2013
【研究代表者】松田 巌 東京大学, 物性研究所, 准教授 (00343103)
【キーワード】酸化物半導体 / 光電子分光 / キャリアダイナミクス / 光起電力 / 光触媒 (他10件)
【概要】強相関物理や光触媒化学として重要な酸化物半導体表面における電子構造及びキャリアダイナミクスを高分解能角度分解光電子分光とSPring-8 BL07LSUにて開発した時間分解光電子分光で調べた。SrTiO3やZnOの表面は水素吸着や表面欠陥の導入で表面金属化でき、比較的強い電子相関もあった。キャリアダイナミクスは表面光起電力の発生とその緩和過程から研究をした。光触媒のTiO2結晶のナノ粒子ではアナタ...
❏表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究(06455007)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 (他6件)
【概要】我々はSi上の金属のエピタクシー過程について、RHEED(反射高速電子回折)、TRAXS(全反射角X線分光)、表面電気伝導の測定等の方法で構造、組成、物性の研究を行ってきた。RHEEDは逆格子を通しての構造研究に有力であり、STM(走査型トンネル顕微鏡)は実格子の研究に有力である。そこで我々は既設のRHEED-TRAXS装置にSTMを結合させ、上記現象の解明を試みることを目的とした。 平成6年度に...
❏低温用反射高速電子回析・成長表面原子層物性測定装置(05559005)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】試験研究(B)
【研究期間】1993 - 1994
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 / 金属超薄膜 (他6件)
【概要】平成5〜6年度において、低温用反射高速電子回析(RHEED)・表面原子層物性測定のための試料ホルダーと各種の測定装置を作製し、これを既設の超高真空RHEED装置に取り付けた。これを用いて、エピタクシー過程における、RHEED強度振動、表面元素の深さ分布、表面電気伝導などの測定を行った。 エピタクシャル成長を支配する重要な因子は、下地表面の温度、蒸着の速度、原子の供給方法などである。そこでSi(ll...
【総合理工】応用物理学:走査型トンネル顕微鏡(STM)半導体表面を含む研究件
❏ナノスケール表面改質のためのイオン照射下高温STM観察(11450019)
【研究テーマ】表面界面物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2001
【研究代表者】大泊 巌 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720)
【キーワード】シリコン / イオン照射 / 表面改質 / 走査トンネル顕微鏡 / 半導体表面 (他8件)
【概要】1.イオン照射によるSi表面の改質効果解明の推進 高温超高真空STM/低速イオン銃複合装置を作製し、Arイオンを照射したSi表面をリアルタイムで高温STM観察し、1個のArイオンによって形成された表面改質サイトの形状変化を多数調べた。その結果、サイズの大きいイオン照射痕の多くは、熱処理によって表面のダイマー列に沿った辺を持つ正六角形に整形されることなどが明らかになった。イオン照射欠陥回復過程の基板...
❏表面成長モードの原子ダイナミックスと表面電気伝導の発現機構の研究(06455007)
【研究テーマ】広領域
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】井野 正三 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (70005867)
【キーワード】反射高速電子回折 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面電気伝導 / エピタクシー / 半導体表面 (他6件)
【概要】我々はSi上の金属のエピタクシー過程について、RHEED(反射高速電子回折)、TRAXS(全反射角X線分光)、表面電気伝導の測定等の方法で構造、組成、物性の研究を行ってきた。RHEEDは逆格子を通しての構造研究に有力であり、STM(走査型トンネル顕微鏡)は実格子の研究に有力である。そこで我々は既設のRHEED-TRAXS装置にSTMを結合させ、上記現象の解明を試みることを目的とした。 平成6年度に...