キーワード 電子状態計算 が関係する 研究 Discovery Saga
「電子状態計算」の関係研究分野
研究分野別サイレントキーワード
「電子状態計算」とサイレントキーワードを含む研究
【情報学】計算基盤:精度保証 /電子状態計算を含む研究件
❏階層的低ランク近似による高速・高精度な固有値計算と大規模電子状態計算への応用(22H03598)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2022-04-01 - 2025-03-31
【研究代表者】横田 理央 東京工業大学, 学術国際情報センター, 准教授 (20760573)
【キーワード】H行列 / 固有値問題 / 電子状態計算 / 精度保証
【概要】
【情報学】計算基盤:H行列 /電子状態計算を含む研究件
❏階層的低ランク近似による高速・高精度な固有値計算と大規模電子状態計算への応用(22H03598)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2022-04-01 - 2025-03-31
【研究代表者】横田 理央 東京工業大学, 学術国際情報センター, 准教授 (20760573)
【キーワード】H行列 / 固有値問題 / 電子状態計算 / 精度保証
【概要】
【数物系科学】数学:固有値問題 /電子状態計算を含む研究件
❏階層的低ランク近似による高速・高精度な固有値計算と大規模電子状態計算への応用(22H03598)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2022-04-01 - 2025-03-31
【研究代表者】横田 理央 東京工業大学, 学術国際情報センター, 准教授 (20760573)
【キーワード】H行列 / 固有値問題 / 電子状態計算 / 精度保証
【概要】
【工学】電気電子工学:界面欠陥 /電子状態計算を含む研究件
❏界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明(21H04553)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2021-04-05 - 2024-03-31
【研究代表者】松下 雄一郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336)
【キーワード】SiC / DFT / 電子状態計算 / 界面欠陥 / SiC-MOS (他6件)
【概要】
【工学】電気電子工学:移動度キラー /電子状態計算を含む研究件
❏界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明(21H04553)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2021-04-05 - 2024-03-31
【研究代表者】松下 雄一郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336)
【キーワード】SiC / DFT / 電子状態計算 / 界面欠陥 / SiC-MOS (他6件)
【概要】
【工学】電気電子工学:DFT /電子状態計算を含む研究件
❏界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明(21H04553)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2021-04-05 - 2024-03-31
【研究代表者】松下 雄一郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336)
【キーワード】SiC / DFT / 電子状態計算 / 界面欠陥 / SiC-MOS (他6件)
【概要】
【工学】電気電子工学:SiC-MOS /電子状態計算を含む研究件
❏界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明(21H04553)
【研究テーマ】
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2021-04-05 - 2024-03-31
【研究代表者】松下 雄一郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336)
【キーワード】SiC / DFT / 電子状態計算 / 界面欠陥 / SiC-MOS (他6件)
【概要】