電位依存性イオンチャネルにおける電位センサーとイオンゲートとの動作連関
【研究分野】物理系薬学
【研究キーワード】
構造生物学 / 電位依存性イオンチャネル / 電位センサードメイン / gating modifier toxin / 分子認識様式 / イオンチャネル / NMR / イオンゲート
【研究成果の概要】
電位依存性イオンチャネルは、膜電位を感受する電位センサードメイン(VSD)とイオン透過路を有するポアドメイン(PD)からなる。本研究では、VSD中の2残基をシステイン(Cys)に置換した変異体を用いて、どの部位のCys同士間にジスルフィド(SS)結合が形成されるかを調べ、膜電位依存的なVSDの構造変化様式を明らかにした。また、VSDと、阻害毒素との結合様式をNMRにより明らかにし、毒素がVSDに作用しPDにおける電流を阻害する機構を解明した。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 嶋田 一夫 | 東京大学 | 大学院・薬学系研究科 | 教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2009 - 2011
【配分額】4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)