半導体波長変換デバイスの電流注入による高機能化の研究
【研究分野】応用光学・量子光工学
【研究キーワード】
非線形光学 / MBE，エピタキシャル / 波長変換 / キャリア注入 / 副格子交換エピタキシー / 高性能レーザー / 導波路デバイス / 疑似位相整合 / 先端光デバイス / 半導体集積回路 / 先端機能デバイス / MBE,エピタキシャル
【研究成果の概要】
光学的非線形性を有する半導体材料を用いたレーザー光波長変換デバイスの高性能化に取り組んだ。周期空間反転GaAs/AlGaAsを用いた疑似位相整合（QPM）導波路素子の高効率化へ向けて，素子作製条件の最適化をおこなって伝搬損失の低減を図り，これまでで最小の伝搬損失（1.3 dB/cm @ 1.55 um）を実現した。電流注入AlGaAs QPM素子について初めてシミュレーションをおこない，現実的な電流注入条件の下で正味の利得が実現できること，その結果，極めて高い変換効率が達成可能であることを明らかにした。周期反転GaAs pn接合素子を初めて作製し，その電気特性，光学特性の評価をおこなった。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
| 松下 智紀 | 東京大学 | 大学院工学系研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2011-04-01 - 2014-03-31
【配分額】20,540千円 (直接経費: 15,800千円、間接経費: 4,740千円)