多様な三層型Bi系高温超伝導体を得るための改良型(温度勾配付与)TSFZ法の研究
【研究分野】物性Ⅱ
【研究キーワード】
銅酸化物高温超伝導体 / 多層型高温超伝導体 / 単結晶育成 / 温度勾配 / 超伝導転移温度 / 溶媒移動浮遊帯域法 / レーザー / 不足ドープ / プロテクト・アニール法 / 熱処理 / 酸化物高温超伝導体
【研究成果の概要】
銅酸化物高温超伝導材料を広範囲な実用につなげていくために、その超伝導転移温度Tcを高めることが望まれている。Tcは、結晶構造に含まれるCuO2面の枚数を増加させるにつれ増加傾向を示し、3枚の時最大になることが経験的に知られている。その理由を解明し、更なる高Tc物質開発の指針を得るために、本研究では、世界で最高の大きさ、品質を備えたCuO2面を3枚有するBi系超伝導体の単結晶の育成に成功した。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
伊藤 利充 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | その他部局等 | 研究員 | (Kakenデータベース) |
藤井 武則 | 東京大学 | 学内共同利用施設等 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2013-04-01 - 2016-03-31
【配分額】4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)