ミリケンビル・マイクロ4端子プローブ法の開発とモノレイヤー超伝導の探索
【研究分野】薄膜・表面界面物性
【研究キーワード】
超伝導 / マイクロ4端子プローブ / モノレイヤー / 表面状態超伝導 / 表面超構造 / 反弱局在 / ラシュバ効果 / ビスマス / 超薄膜 / 電子電子相互作用 / 量子干渉効果 / 表面状態伝導 / 表面電気伝導
【研究成果の概要】
今まで我々は10年以上にわたって,マイクロ4端子プローブ法という新しい実験手法を開発し,それらを用いて表面・モノレイヤー(単原子層)の伝導物性の研究を展開してきた。本研究では,さらにその装置性能を向上させ、ミリケルビンの超低温(0.4K)および7Tまでの強磁場中でのマイクロ4端子プローブ測定を可能とし、モノレーヤー(単原子層)超伝導の探索やモノレーヤー磁気輸送の研究に発展させる。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 平原 徹 | 東京大学 | 大学院・理学系研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010 - 2012
【配分額】49,660千円 (直接経費: 38,200千円、間接経費: 11,460千円)