直接遷移バレーへの電子注入による室温動作近赤外ゲルマニウムレーザーの開発研究
【研究分野】結晶工学
【研究キーワード】
ゲルマニウム / レーザー / 直接遷移 / 電子制御バレートロニクス / 量子カスケード類似構造 / 熱い電子 / バレー間ファノン散乱 / 直接バレー電子注入 / 外場制御バレートロニクス / バレー間フォノン散乱 / 電子ラマン散乱 / 実空間遷移 / 波数空間遷移 / 伝導帯バレー選択的光励起法
【研究成果の概要】
ゲルマニウム(Ge)は室温の直接遷移発光が光通信帯波長をカバーし、CMOSプロセス適合性と移動度の高さからチップ搭載・光電子ハイブリッド集積への最短距離に位置している。本研究では、間接遷移半導体Geの直接遷移を利用した室温近赤外レーザーの開発を目指した。これにより歴史的難題であった間接遷移攻略を達成するとともに、直接遷移バレーへの効率的な電子注入を可能にする外場制御型バレートロニクスの開拓を模索した。研究を通じて非平衡電子、バレー間結合、室温ランダウ準位観測、共鳴電子ラマン遷移などGeに特異的な物性への理解を深めるとともにバンド間遷移レーザーの新原理創成につながる知見を集積した。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 安武 裕輔 | 東京大学 | 総合文化研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2013-04-01 - 2016-03-31
【配分額】45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)