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グラフェンに関するサイレントキーワードメソスコピック系が含まれる科研費採択研究2件

グラフェンに関するサイレントキーワードメソスコピック系が含まれる科研費採択研究 2件

グラフェンの磁場中伝導現象における幾何学的効果
【研究分野】物性Ⅱ
【研究領域課題番号】21340094 (KAKENデータベースで見る）
【研究キーワード】

分子性固体・有機導体 / メゾスコピック系・局在 / グラフェン / 量子ホール効果 / ディラック電子 / メゾスコピック系 / ベリー位相 / 電界効果トランジスタ / 端状態 / pn接合 / 2層グラフェン
【研究成果の概要】

本研究はグラフェンの磁場中電気伝導における新しい幾何学的効果の探索を企図したものであり、特に異なる量子ホール相の接合界面に生ずるエッジ状態とその伝導特性に関する研究が中心となった。2層グラフェンのpnp接合、単層-2層グラフェンヘテロ接合について量子ホールエッジ伝導を調べた結果、前者では並行エッジ状態のmixingが、後者では逆行エッジ状態の完全な相殺が起こることが明らかになった。
【研究代表者】

長田俊人東京大学物性研究所准教授 (Kakenデータベース)
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2009 - 2011
【配分額】19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)

【研究分担者】
鴻池貴子東京大学物性研究所助教 (Kakenデータベース)
内田和人東京大学物性研究所技術専門職員 (Kakenデータベース)

FETおよびメゾスコピック構造による超薄膜グラファイトの電子物性の研究

【研究分野】物性Ⅱ

【研究領域課題番号】19340095 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

分子性固体・有機導体 / グラファイト / 電界効果トランジスタ / メゾスコピック系 / グラフェン / ディラックフェルミオン / 負の層間磁気抵抗 / ゼロギヤップ伝導体 / ランダウ準位 / 超薄膜グラファイト / パルス磁場 / 磁場誘起電子相転移 / 層間磁気抵抗

【研究成果の概要】

理想的な多層Dirac電子系における負の層間磁気抵抗現象の発現を理論的に導き、有機導体α-(BEDT-TTF)2I3 におけるDirac 電子系実現を裏付けた。多層グラファイトについて負の層間磁気抵抗現象を実験的に見出し、H点付近の正孔が持つ3次元Dirac 粒子的な性格により実験結果を説明した。単層~少数層グラファイト薄膜FET 構造の作製には成功したが、系統的な物性実験は今後の課題となった。

【研究代表者】

長田俊人東京大学物性研究所准教授 (Kakenデータベース)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2007 - 2008

【配分額】19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)

【研究分担者】
鴻池貴子	東京大学	物性研究所	助教	(Kakenデータベース)
内田和人	東京大学	物性研究所	技術専門職員	(Kakenデータベース)

【研究連携者】
鴻池貴子	東京大学	物性研究所	助教	(Kakenデータベース)
内田和人	東京大学	物性研究所	技術専門職員	(Kakenデータベース)