【研究分野】機械材料・材料力学

【研究領域課題番号】25630006 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

半導体 / 微細パターン材 / 真性応力 / 板理論 / 座屈 / ドライエッチング / 分子動力学法 / プラズマエッチング

【研究成果の概要】

異種界面に生じる真性応力は半導体微細パターンの構造不安定を引き起こす重要な因子のひとつであり，工学分野においては，真性応力に起因する構造不安定を原子スケールと連続体スケールの観点から定量的に予測することは必要不可欠である．本研究では，板理論を適用して，ドライエッチング中の微細パターンの横うねり座屈に関する予測モデルを構築し，実験データとの比較から本モデルの有効性を示した．次に，分子動力学法を用いてドライエッチングの原子モデルを構築し，酸化膜形成解析によって酸化膜内の圧縮応力が1GPaを超えることを明らかにした．以上より，連続体モデルと原子モデルに基づいた微細パターンの座屈評価手法を確立した．

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2013-04-01 - 2015-03-31

【配分額】3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)