ナノスケール酸化物における電界誘起相転移
【研究分野】物性Ⅱ
【研究キーワード】
電子デバイス・機器 / ナノ材料 / 表面・界面物性 / 物性実験 / マイクロ・デバイス / MBE,エピタキシャル
【研究成果の概要】
We have developed a process for fabricating micron-scale fully epitaxial top-gate oxide field-effect transistors that use an oxide channel, oxide source and drain electrodes and a wide-gap oxide gate insulator. We have studied charge accumulation at CaHfO_3/SrTiO_3, DyScO_3/SrTiO_3, and SrTiO_3/LaTiO_3 interfaces. As a way to confine carriers in a narrower layer at an interface, we are developing Ruddlesden-Popper-type two-dimensionalquantum wells
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 大西 剛 | 東京大学 | 物性研究所 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究連携者】 |
| 大西 剛 | 物質・材料研究機構 | 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 | MANA 研究者 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2007 - 2008
【配分額】18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)