3次元実装における極微細縦方向配線のシングルステップ形成
【研究分野】反応工学・プロセスシステム
【研究キーワード】
超臨界流体 / 製膜 / 3次元実装 / Cu / 超臨界
【研究成果の概要】
超臨界流体中における化学反応を利用した製膜技術（SCFD）を活用し，超高アスペクト比かつ微細なシリコン貫通電極（TSV）を形成する技術を検討した。絶縁性表面への膜形成と埋め込み性の向上がポイントであり，流通式製膜装置の新規開発による傾斜組成CuMnOxバッファ層と原料溶解度測定を通じた高埋め込み性製膜条件の検討を行った。結果として，アスペクト比が100を超えるシリコントレンチ構造へのCuの埋め込みに成功した。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2013-04-01 - 2016-03-31
【配分額】25,350千円 (直接経費: 19,500千円、間接経費: 5,850千円)