半絶縁性SiC上ウェハスケールグラフェンはエレクトロニクス応用に最適なのか？
【研究キーワード】
グラフェン / 表面 / 界面構造 / 成長技術 / 界面 / 移動度 / 電子状態 / 移動度向上 / 高周波トランジスタ
【研究成果の概要】
本研究では、SiC熱分解法により成長したグラフェンのキャリア移動度に影響を与える因子とその寄与を明らかにするために研究を行った。得られた実験結果から、グラフェンの質については他の手法との顕著な差はない一方で、熱分解後のSiC基板における欠陥が移動度を低下させていることが示唆された。グラフェン/SiC界面構造の影響について、高圧水素によるインターカレーションを行い、インターカレーションの初期過程における微視的メカニズムを明らかにした。また、本研究で確立した大面積グラフェン転写技術を用いて、mmスケールのツイスト2層グラフェンの作製とその電子状態観測にも成功した。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2018-04-01 - 2021-03-31
【配分額】17,550千円 (直接経費: 13,500千円、間接経費: 4,050千円)