MEMSによるナノカーボン歪印可素子開発と連続可変電子状態制御
【研究分野】金属物性・材料
【研究キーワード】
カーボンナノチューブ / 半導体物性 / 光物性 / 歪 / バンドギャップ / ナノチューブ・フラーレン
【研究成果の概要】
通常の半導体材料では、バンドエンジニアリングは組成制御やドーピングにより行われるため、外部から変調することは難しい。本研究では、次世代バンドエンジニアリングとしてナノカーボンに注目し、MEMS技術を用いた歪印可素子を開発し、歪によるバンドギャップ変調技術の構築を行った。その結果、カーボンナノチューブへ歪印加可能なデバイス作製に成功し歪印加によるPL波長シフトの観測に成功した。
【研究代表者】
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2014-04-01 - 2016-03-31
【配分額】3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)