【研究分野】ナノ構造科学

【研究領域課題番号】24310082 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

表面・界面ナノ科学 / シリコン / 絶縁膜 / 分子動力学法

【研究成果の概要】

急速に進む立体構造デバイスの研究開発を基礎から支えるため、ナノスケールの半導体結晶、およびそれを覆う酸化絶縁膜の原子論的界面構造モデルを、ハイスループットで自動生成する技術を開発し、現実的な立体構造モデルを用いた様々な輸送シミュレーションを可能にした。開発した手法を熱伝導シミュレーションに応用し、ナノスケールのシリコン結晶が示す特異な熱的特性の起源の解明に成功した。

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2012-04-01 - 2015-03-31

【配分額】20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)

【研究分野】熱工学

【研究領域課題番号】23656143 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

分子動力学法 / シリコン / エピタキシー / Chemical Vapor Deposition / ナノク ラスター / CVD / ナノクラスター

【研究成果の概要】

本研究では,シリコンのプラズマCVD薄膜生成における初期クラスター形成過程を分子動力学法により解析し,基板上でクラスターがエピタキシャル成長および粒成長する条件を見出した.また多数のクラスター堆積過程の計算を行い,小さなクラスターの連続堆積により,エピタキシャル成長が可能であることを示した.さらに,水素原子がエピタキシャル成長に与える影響を検討した.水素がないSiクラスターと比べ,SiHクラスターは,より低温の基板でも変形/自己組織化することを見出した.

【研究種目】挑戦的萌芽研究

【研究期間】2011 - 2012

【配分額】3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)