超臨界流体埋め込み成膜による三次元接合型化合物半導体太陽電池の真の実現と高効率化
【研究分野】反応工学・プロセスシステム
【研究キーワード】
超臨界流体 / 化合物半導体 / 太陽電池 / 化合物太陽電池
【研究成果の概要】
本研究ではまず、超臨界流体成膜法により、粒径25nmのTiO2粒子で構成された多孔質膜中に、均一にCu,In膜を成膜することを可能とした。さらに高い溶解性と還元力を有する超臨界エタノールを反応場として用いることで、従来の毒性の高いカルコゲン原料を代替する安全・安価な固体原料を用いたカルコゲン化反応プロセスを構築した。これら超臨界流体プロセスを駆使することで、TiO2多孔質膜へのCuInS2埋め込み成膜を行い、高変換効率の実現が期待される3次元接合型CIS化合物半導体太陽電池構造を具現化できることを実証した。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
| 百瀬 健 | 東京大学 | 大学院工学系研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
|
【研究協力者】 |
| 中安 祐太 | |
| 渡辺 伸司 | |
| 安井 容二 | |
|
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2013-04-01 - 2015-03-31
【配分額】4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)