【研究分野】マイクロ・ナノデバイス

【研究領域課題番号】21710136 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

ナノ電子デバイス / グラフェン電界効果トランジスタ / グラフェン / 電界効果 / トランジスタ / ゲート絶縁膜 / 移動度

【研究成果の概要】

グラフェンは高い移動度を有するが,零ギャップ故にon/off比が取れない問題がある.本研究では,2層グラフェンのギャップエンジニアリングを最終目標とし,まずは,それ以前に問題となる金属電極からの注入におけるコンタクト抵抗に着目して研究を進めた.cross-bridge Kelvin法によりコンタクト抵抗率を(V/I)dWとして直接測定した結果,コンタクト抵抗率は,高ゲートバイアス下で～5×10-6 Ohmcm_2程度であった.これは,ショットキー障壁を有する金属/半導体,金属/金属界面での値と比較して高い.グラフェンは一般には金属であると認識されるが,高いコンタクト抵抗は低い状態密度に起因すると考えられる.

【研究種目】若手研究(B)

【研究期間】2009 - 2010

【配分額】4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)