ケルビンフォース顕微鏡によるナノスケール半導体キャリア濃度分布の定量
【研究分野】金属物性・材料
【研究キーワード】
走査プローブ顕微鏡 / ケルビンフォース顕微鏡 / 半導体 / キャリア密度 / 仕事関数 / KFM / キャリア濃度
【研究成果の概要】
不純物ドープSiとSiドープGa2O3の仕事関数とそれらのキャリア密度との関係を、走査プローブ顕微鏡の一種であるケルビンフォース顕微鏡(KFM)を用いて調査した。
KFMにより観察される仕事関数はキャリア密度から理論的に予想されるバルクフェルミレベルに表面準位の電荷によるバンド曲りの影響が重畳していることが、ドナー的性質とアクセプタ的性質の2種類の表面準位を仮定したモデルの計算により示唆された。
また、比較的小さなキャリア密度においてはバンド曲りの影響は小さく、KFMにより測定される仕事関数よりキャリア密度とキャリア種を同時に評価できる可能性が示された。
【研究代表者】