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現在、実用化されている代表的な赤外光源として、LEDや半導体レーザーに主に用いられている化合物半導体は、シリコン基板上に直接形成することが難しく、微小な光源をシリコン基板上に集積化することが困難であった。本研究では、基板上に直接成長できる転写フリーなグラフェン作製法を確立し、確立した手法により作製したグラフェンを発光素子化し、その電気特性・発光特性を評価することによって、発光素子の高輝度化・高速化に向けたグラフェン材料及びデバイス構造の学理を追求し、高集積化のためのデバイス構造や最適な作製プロセスを提案した。

中川鉄馬地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所戦略的研究シーズ育成プロジェクト研究員(任期有) (Kakenデータベース)