長波長帯トランジスタレーザによる新たな波長安定光出力制御・変調帯域拡大手法の開拓
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
トランジスタレーザ / 半導体レーザ / InP / 光デバイス / 光回路 / 半導体 / フォトニックネットワーク
【研究成果の概要】
短中距離光通信での直接変調レーザへの要求に対応するため、1.3ミクロン帯トランジスタレーザの光出力・発振スペクトル・変調帯域を制御する手法を確立することで、高い機能を合わせ持つ光通信デバイスを実現することを目的とし研究を行った。まず、複雑な特性実測データと一致するような理論計算を実現した。これを利用することによりトランジスタレーザの設計指針を明らかにした。次に実際の作製において、電気帯域の向上と放熱特性の向上を目標として電極構造を新たに提案し、それを導入したトランジスタレーザで、世界最高発振温度となる95度で動作するデバイスを実現した。また、安定した小信号特性を得ることに成功した。
【研究の社会的意義】
インターネットを中心とする光ネットワークの高速化、かつ低コスト化の要求に見合う半導体レーザを実現するための重要なステップになるとともに、本トランジスタレーザの理論解析は、将来の他の半導体レーザ理論検討にも適応できる学術的意義があるといえる。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31
【配分額】17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)