磁場印加レーザアブレーションによる強磁性・強誘電性薄膜作製と評価
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
強誘電体 / 強磁性体 / マルチフェロイック / 薄膜 / レーザアブレーション / 磁場 / 強誘電性 / 強磁性 / 物性実験 / 電子・電気材料 / 結晶成長 / 磁性 / 誘電物性
【研究成果の概要】
マルチッフェロイックBiFeO_3は室温で大きな誘電ヒステリシス持つが、反強磁性のため磁化ヒステリシスは小さく、磁気電気効果も非常に小さい。そこで、BiFeO_3やFeを金属Mで置換したBiFe_<1-x> M_xO_3を磁場印加してレーザアブレーションにより薄膜化したり、磁場下での熱処理により、強誘電性を保ちつつ、異種元素のスピンを反平行整列、欠陥生成や微小組織構造により、磁性を大きくして、磁気電気効果の増大を図る。
【研究代表者】