狭バンドギャップ強磁性半導体を用いたスピン機能材料とデバイス
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
スピン / 強磁性半導体 / 狭ギャップ / (In,Fe)As / (Ga,Fe)Sb / (In,Fe)Sb / キュリー温度 / スピントロニクス / 狭ギャップ半導体 / 電界効果トランジスタ / キャリア誘起強磁性 / 電界による磁性制御 / 狭バンドギャップ強磁性半導体 / スピンバンドエンジニアリング / スピンエサキダイオード / トンネル分光 / ヘテロ接合 / スピンエレクトロニクス / スピン機能デバイス
【研究成果の概要】
Fe-AsおよびFe-Sb正四面体構造をもつ狭ギャップIII-V族ベース強磁性半導体とそのスピン機能ヘテロ構造材料の作製、物性機能の探索と制御、デバイス応用の研究を行った。強磁性半導体とは、非磁性半導体に磁性元素を添加した混晶半導体であり、半導体と磁性体の両方の性質を持つため、固体物理学・材料科学上の課題を豊富に与えるとともに次世代エレトロニクス・デバイスを担う材料として期待できる材料である。新しいｐ型およびｎ型のFeべース強磁性半導体(Ga,Fe)Sb, (In,Fe)Sbを作製し、そのキュリー温度が室温を超えること、量子ヘテロ構造を作製し、スピントロニクスデバイス応用の可能性を示した。
【研究代表者】
【研究協力者】 |
| レ デゥック アイン | 東京大学 | 大学院工学系研究科 | 助教 |
| グエン タン トゥ | ホーチミン師範大学 | 講師 |
| ファム ナム ハイ | 東京工業大学 | 工学院 | 准教授 |
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【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2016-04-01 - 2018-03-31
【配分額】3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)