次世代半導体量子ナノスピンエレクトロニクスデバイスの創製
【研究分野】応用物性・結晶工学
【研究キーワード】
スピントロニクス / 量子ヘテロ構造 / 半導体 / トンネル磁気抵抗効果 / スピントランジスタ / 量子井戸 / 共鳴トンネル効果
【研究成果の概要】
GaMnAsを中心とした強磁性半導体材料における価電子帯構造と量子デバイスに関して、様々な新たな知見を得た。GaMnAs磁気トンネル接合において、2. 6Kにおいて175%という本材料系における本温度領域での最も大きなトンネル磁気抵抗効果を得た。GaMnAs量子井戸に電極を有する3端子デバイスを作製し、量子準位と磁気電流比を制御することに成功した。スピン依存共鳴トンネル分光法を用いてGaMnAsの価電子帯構造を系統的に明らかにすることに世界で初めて成功した。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2008 - 2011
【配分額】25,480千円 (直接経費: 19,600千円、間接経費: 5,880千円)