高キュリー温度を持つ磁性半導体における磁性機構の解明とその制御
【研究分野】応用物理学一般
【研究キーワード】
ゲート素子 / スピントロニクス / 電界効果 / 磁性 / イオン液体 / 強磁性 / カルコゲナイド / 磁性半導体 / 酸化膜 / 界面効果 / 磁気異方性
【研究成果の概要】
本テーマでは低消費電力で高速・大容量の情報処理・通信に向けたスピンデバイス開発を目指して、高いキュリー温度を示す磁性半導体におけるゲート電圧印加による磁性制御を目指した。まず磁化曲線の明確なカルコゲナイド強磁性薄膜Cr1-δTeにおいて、イオン液体を用いたゲート素子を作製しその磁性を制御することに成功した。その技術を応用し室温強磁性を示す(Zn,Ct)Teにおいて、保磁力の大きさをゲート電圧によって可逆的に変化させることに成功した。またこれによって、(Zn,Cr)Teの強磁性機構の手がかりを得ることができた。
【研究代表者】
【研究種目】研究活動スタート支援
【研究期間】2012-08-31 - 2014-03-31
【配分額】2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)