窒化物半導体界面におけるスピン物性の制御
【研究分野】ナノ材料・ナノバイオサイエンス
【研究キーワード】
ナノ表面・界面 / ナノ材料 / 磁性 / 物性理論 / ナノ界面 / 表面・界面物性 / 格子欠陥 / 第一原理計算
【研究成果の概要】
本研究では、GaNをはじめとする窒化物半導体と非磁性物質との界面における磁性の発現および制御を目指し第一原理計算を行った。まず、AlN/MgB2界面およびGaN/ZrB2界面を理論解析し、AlN/MgB2界面では界面強磁性が発現する可能性を示した。また、界面スピン物性の応用として最も重要であると考えられるスピン伝導特性を量子コンダクタンスの計算により明らかにした。これらの結果はPhysical Review Lettersに掲載された。また、GaN/グラフェン界面のスピン物性も精査しその結果をApplied Physics Lettersに発表した。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2012
【配分額】4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)