温度変調によるシリサイドナノバルク結晶創成と熱電応用
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
シリサイド半導体 / Mg2Si / MnSi1.7 / 熱電変換 / バルクナノ構造 / MnSi1.75 / ナノ構造
【研究成果の概要】
シリサイド半導体は、地殻中資源量が豊富な元素で構成され、毒性が低いなどの特徴を備えており、中温域で利用できる廃熱発電材料として注目される。
本研究では高い熱電性能のシリサイド半導体を得るために、不純物偏析を利用したn-Mg2Si, p-MnSi1.7ナノ構造バルク結晶を合成し、その熱電特性を調べた。溶融結晶Mg2Siにわずか0.5at%のBiまたは1at%のSbを添加することで室温での格子熱伝導率をそれぞれ約38%、約40%まで低減できることを明らかにした。また、n-Mg2Si, p-MnSi1.7に温度変調により不純物偏析構造を作製した。
【研究代表者】