ナノメートル誘電体・薄膜の電子物性の理解と制御の研究
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
電気・電子材料 / 誘電体物性 / 超薄膜 / 表面・界面物性 / 界面ダイポール / XPS / 構造相転移 / Higher-k膜 / GeO2 / Fermi-level Pinning / ESR / 高圧酸化 / ショットキーバリア高さ / High-k膜 / Ge / Si-doped HfO2 / HfLaOx
【研究成果の概要】
CMOSデバイスにおけるゲート絶縁膜の薄膜化に対して膜厚を実際に薄膜化するのではなく、膜の誘電率を上げることでゲート絶縁膜の機能を電気的に薄膜化するという今回の研究を通して、高誘電率薄膜における絶縁体としてのエネルギー障壁、誘電率の時間的安定性、SiO_2との界面で生ずる電気的ダイポール層の決定的確認、希土類金属酸化膜の吸湿性に対する一般的理解、あるいは新しい半導体材料(Ge)に対する絶縁膜(GeO_2)の欠陥生成機構に関する実験的証拠を確認できた。
【研究代表者】