BEEM/STMによる磁性体/半導体ナノ構造におけるスピン依存現象の観測と制御
【研究分野】薄膜・表面界面物性
【研究キーワード】
スピンエレクトロニクス / スピン依存トンネル現象 / STM / STS / ハーフメタル / BEEM / BEES / MEES
【研究成果の概要】
磁性体/半導体のナノ構造の性能改善を目指して, BEEM/STM技術を用いてそのスピン依存トンネル現象を観測から界面のスピン状態に関する知見を得ること, さらに新しいハーフメタル型磁性体を用いたナノ構造の構築を目指して研究を行った. その結果, 特にGaAs(001)c(4x4)構造が, 2種の構造を有するとの認識に立ち, ハーフメタル型の電子構造を有するという理論予測のあるため新しい磁性材料として期待が持たれているzb型MnAsおよびCrAsのGaAs(001)表面上への成長の初期過程を明らかにした.
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2006 - 2008
【配分額】17,420千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 3,420千円)