アモルファスエレクトライドの領域開拓
【研究分野】無機工業材料
【研究キーワード】
アモルファス / エレクトライド / 薄膜 / 半導体物性
【研究成果の概要】
アモルファスC12A7エレクトライドの光学的・電気的性質を検討するために薄膜試料を作製した。具体的にはC１２A７エレクトライドの緻密なセラミックスターゲットをSPSで作製し、これを用いて高周波スパッターリングによってシリカガラス基板上に50-200nmの厚さの薄膜を堆積した。スパッターガスには１００％アルゴンを用いた。薄膜X線開設測定から試料はアモルファスであることを確認した。光学吸収を測定したところ、2eVと4eV付近に2つの吸収帯が観測された。結晶ではメインであった2eVの吸収帯は、アモルファス薄膜では強度が小さく,4eVバンドがメインとなった。その結果、アモルファス薄膜は透明性が高く、光学的用途には適していることが分かった。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 松石 聡 | 東京工業大学 | 元素戦略研究センター | 准教授 | (Kakenデータベース) |
| 飯村 壮史 | 東京工業大学 | 科学技術創成研究院 | 助教 | (Kakenデータベース) |
| 金 正煥 | 東京工業大学 | 元素戦略研究センター | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2017-04-01 - 2018-03-31
【配分額】43,160千円 (直接経費: 33,200千円、間接経費: 9,960千円)