Deal-Grove理論に代わる新しいシリコン熱酸化速度理論の構築とその応用
【研究分野】薄膜・表面界面物性
【研究キーワード】
表面・界面 / 電気・電子材料 / ナノ構造形成・制御 / 分子動力学法 / 並列計算 / 並列計算機
【研究成果の概要】
乾燥酸素雰囲気中のシリコン熱酸化(ドライ酸化)と水蒸気雰囲気中の酸化(ウェット酸化)を統一的に記述する新しい方程式を定式化し、長年謎であった、ドライ酸化のみで見られる非線形な酸素分圧依存性を説明することに成功した。また、シリコンやゲルマニウムの酸化膜構造を分子動力学シミュレーションで再現し、界面近傍における構造緩和機構、酸化種の拡散挙動、ストレス分布、熱輸送やフォノンの緩和機構などを明らかにした。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2007 - 2010
【配分額】24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円)