半導体表面および界面の２次元系における新しい自由度と電子状態
【研究分野】物性Ⅰ
【研究キーワード】
表面・界面 / 低温物性 / 表面物性 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 強相関電子系
【研究成果の概要】
高移動度シリコン２次元電子系に対して、磁場に対する角度をその場制御しながら磁気抵抗効果の測定を行った。非整数のランダウ準位充填率においてランダウ準位交差を行ったところ、電子局在に相当する縦抵抗の明瞭なディップが観測された。
直流抵抗で金属的温度依存性を示す同系に対して、低温下でサイクロトロン共鳴の測定を行った。緩和時間は、直流抵抗から得られるものと同様の温度依存性を示した。
GaAs劈開表面に形成したPb単原子層膜における超伝導を調べた。実験結果は、大きなRashba分裂を持つ２次元金属に対して予想されていた空間変調を有する超伝導状態によって説明された。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
| 枡富 龍一 | 東京大学 | 大学院理学系研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2009-04-01 - 2013-03-31
【配分額】46,930千円 (直接経費: 36,100千円、間接経費: 10,830千円)