シナプスを模した時間ゲート電界誘起相転移スイッチの開発
【研究分野】マイクロ・ナノデバイス
【研究キーワード】
ナノ電子デバイス / 金属半導体相転移 / 機能性酸化物 / 相転移
【研究成果の概要】
ターゲットに金属のVを用いて作製した酸化バナジウム膜については、X線回折の結果から組成がVO2に近い構造のピークが何度か得られたが、再現性が非常に乏しかった。これはスパッタ中にターゲットが酸化してしまうことで、堆積する膜の酸素濃度も変わってしまうことが原因と考えられる。構造がVO2に近い膜は340度付近で金属・半導体層転移することが電気伝導測定からわかった。
一方、ターゲットにV2O5を用いると、基板温度が600度付近で、VO2相に相当するX線回折ピークの強度が増加したが、均一な単相の状態を作製するのが難しく、得られた膜の電気伝導を測定すると、金属・半導体相転移の転移温度、抵抗変化が小さかった。
【研究代表者】
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2012-04-01 - 2014-03-31
【配分額】4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)