立体構造半導体／酸化膜界面のハイスループットモデリング技術の開発
【研究分野】ナノ構造科学
【研究キーワード】
表面・界面ナノ科学 / シリコン / 絶縁膜 / 分子動力学法
【研究成果の概要】
急速に進む立体構造デバイスの研究開発を基礎から支えるため、ナノスケールの半導体結晶、およびそれを覆う酸化絶縁膜の原子論的界面構造モデルを、ハイスループットで自動生成する技術を開発し、現実的な立体構造モデルを用いた様々な輸送シミュレーションを可能にした。開発した手法を熱伝導シミュレーションに応用し、ナノスケールのシリコン結晶が示す特異な熱的特性の起源の解明に成功した。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2012-04-01 - 2015-03-31
【配分額】20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)