鉄系超伝導体の高品質薄膜成長機構の解明と高性能化技術の創製
【研究分野】無機材料・物性
【研究キーワード】
パルスレーザー堆積法 / エピタキシャル成長 / 超伝導 / 磁束ピニング / 臨界電流
【研究成果の概要】
4種類の励起波長を採用したパルスレーザー堆積法を用いて、BaFe2A2:Coの高品質薄膜が得られる条件を検討し、レーザーの波長が異なった場合であっても、最適な成長速度はすべて同じ0.3 nm/secで一定であることを明らかにした。さらに高い臨界温度が期待できるBaFe2As2:Pにその最適プロセスを適用し、本研究課題の目標値である臨界電流密度(Jc)10 MA/cm2にほぼ匹敵する7 MA/cm2にまでの高性能化に成功した。さらに、実際に応用に使われている金属テープ基板にも適用し、15 Tの強磁場下において最大で0.1 MA/cm2の実用レベルのJcを達成した。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2013-04-01 - 2017-03-31
【配分額】26,130千円 (直接経費: 20,100千円、間接経費: 6,030千円)