チップ増強効果を用いた半導体量子ドット中の励起子分極のコヒーレント制御
【研究分野】物性Ⅰ
【研究キーワード】
光物性 / ナノ光学 / 表面プラズモン / フェムト秒パルス / 量子ドット / 時間分解分光 / AFM / チップ増強 / 半導体
【研究成果の概要】
増強度が104に達するチップ増強観測装置を組み上げ、いろいろな半導体超構造の発光過程を調べた。また、Geナノワイヤーのチップ増強ラマン散乱測定を行い、単一Geナノワイヤーにおけるフォノンの閉じ込め効果の空間分布、および、結晶化GeとアモルファスGeの濃度比の空間分布などを決定した。GaAs量子ドットにおいてコヒーレント制御の実験を行った。励起子のパワーブロードニング過程がコヒーレント制御できることを明らかにした。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 小川 佳宏 | 東京工業大学 | 理工学研究科 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2010 - 2012
【配分額】19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)