フェルミオン-ボゾン相互作用を通じた量子コヒーレント過程による固体表面構造操作
【研究分野】物性Ⅰ
【研究キーワード】
固体表面 / 走査トンネル顕微鏡 / 構造操作 / 量子散乱 / 物性理論 / 表面 / トンネル顕微鏡 / 半導体 / コヒーレンス / 操作トンネル顕微鏡 / 構造 / 散乱理論 / コヒーレント / ボゾン / フェルミオン / シリコン / ゲルマニューム / ダイマー / 構造変換 / 走査トンネル電子顕微鏡 / 微分コンダクタンス / モデルポテンシャル / 温度
【研究成果の概要】
走査トンネル顕微鏡(STM)を使った固体表面の構造操作について、機構を理論的に明らかにした。特に、STM探針から離れた表面原子操作について明らかにした。STMを使い半導体表面電子状態に注入された電子のコヒーレンス長について、フェルミオンである電子とボゾンである格子振動との相互作用を量子散乱機構としたコヒーレンス長の一般的表式を求め、ゲルマニューム表面でコヒーレンス長が長大になるバイアス電圧の存在を示した。
【研究代表者】