超高強度テラヘルツ電磁場による半導体電子状態の動的制御
【研究分野】物性Ⅰ
【研究キーワード】
テラヘルツ非線形光学 / テラヘルツ分光 / 非線形光学 / 半導体光学 / 超高速レーザー分光 / 高次高調波発生 / テラヘルツ光 / 単層半導体 / グラフェン / 半導体光物性 / 高強度テラヘルツ光 / 半導体 / 非線形分光
【研究成果の概要】
固体における極端な非線形光学現象を観測するために、20 THz以上の周波数を有する高強度テラヘルツ光源および1 THz近傍で0.1 THz以下の線幅ともつ波長可変高強度テラヘルツ光源を構築した。半導体試料において1s励起子準位の巨大なラビ分裂や光吸収のサブサイクル応答を観測した。また、MoS2やグラフェンのような単一層物質において高次高調波発生を初めて確認し、原子気体系とは異なる固体特有の特徴を有することを明らかにした。また、これらを説明する理論モデルを提案した。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 廣理 英基 | 京都大学 | 物質－細胞統合システム拠点 | 特定准教授 | (Kakenデータベース) |
| 谷 峻太郎 | 東京大学 | 物性研究所 | 助教 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2014-04-01 - 2018-03-31
【配分額】41,210千円 (直接経費: 31,700千円、間接経費: 9,510千円)