京都大学化学研究所 宮﨑和哉 博士後期課程学生、山本恵太郎 助教、山内光陽 助教、水畑吉行 准教授、山田容子 教授の研究グループは、同研究所 松田大 博士、塩谷暢貴 助教、長谷川健 教授との共同研究成果として、有機半導体である 5,15-ビスフェニルテトラベンゾポルフィリン (Ph-BP) の結晶中に取り込まれた溶媒を真空加熱により取り除くことで、これまで確認されていなかった長周期の結晶構造を形成しました。この結晶では、隣り合う層で分子の積み重なり方向が 90 度直交しており、二つの異なる分子配列が交互に繰り返されます。また、...

電気電子デジタル理工学専攻　金子光顕 准教授、木本恒暢 教授、フェニテックセミコンダクター株式会社らの共同研究グループは、極限環境で動作する集積回路の実用化に向けて、シリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）製のトランジスタを 6インチ（直径約 15センチ）の SiC ウェハ全面にわたって一括作製する技術を実証しました。現在広く使われているシリコン製の集積回路は、およそ摂氏300度を超えると正常に動作できません。このためジェットエンジンの内部や、金星の表面（およそ460度）といった環境では、高温でも動く専用の電子回路が必要になります。SiC はこうした極限環境で動作できる次世代半導体...

電気電子デジタル理工学専攻 金子光顕 准教授、柴田峻弥 修士課程学生（研究当時）、木本恒暢 教授らの研究グループは、極限的な高温環境で動作する集積回路の実現を目指して、シリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）を用いた新しいトランジスタ構造を開発し、摂氏600度での動作を実証しました。 現在広く使われているシリコン集積回路は、およそ摂氏250度を超えると正常に動作できません。このためジェットエンジンの内部や、金星の表面（およそ460度）といった環境では、動作が不可能でした。SiCは高温で動作できる次世代半導体として長年研究されてきましたが、イオン注入により作製したSiC接合型トランジ...

京都大学化学研究所 塩田陽一 准教授、小野輝男 教授らの研究グループは、韓国科学技術院（KAIST） Kab-Jin Kim 准教授の研究グループ、同大学 Se Kwon Kim 准教授、蔚山大学 Sanghoon Kim 准教授の研究グループと共同で、二つの磁石の磁極が逆方向に結合した人工反強磁性体）において、波として伝わる磁気振動（マグノン）の異なる振動モード間を瞬時に切り替える現象を観測しました。　反強磁性体中を伝播するマグノンには複数の振動モードが存在し、それらを高速か...