・磁性材料に加える「ひずみ」注1）を層ごとに変えることで、これまでにない新しい磁気相互作用を生み出せることを実証。・材料そのものを替えることなく、機械的な変形だけで磁石の性質を設計・制御する新たな手法を提案。・次世代の超低消費電力メモリやスピントロニクス注2）デバイスの実現につながる、特殊な磁気構造（スキルミオン注3））の生成・制御への応用が期待。 名古屋大学大学院工学研究科の岩田 悠楽（学部生・当時）、古牧 怜寿 博士前期課程学生、林 兼輔 助教、飯浜 賢志 准教授、森山 ...

・次世代高記憶密度磁気デバイス材料として期待されるFePd薄膜において、高性能化に必要な「原子の整列（規則化）」と、材料が劣化する「膜の崩壊（デウェッティング）」が互いに競合するメカニズムを解明しました。・これまで性能低下が課題であった「魔の中間温度域（300～400℃）」において、積層欠陥やナノサイズの空隙が発生する原因を、理論計算と原子レベルの観察により明らかにしました。・この発見により、高品質なFePd薄膜を安定して製造するための「最適な温度と時間のレシピ」が明確になり、超高密度ストレージや省電力デバイスの実現が加速します。 富山大学...