・次世代不揮発性メモリ（MRAM）の記録層として期待されるL10-FePd薄膜において、二段階焼成法により、膜厚5nmの極薄領域で「原子の整列（規則化）」と「原子レベルの平坦性」を両立させ、材料が劣化する「膜の崩壊（Dewetting）」を封じ込めました。・1回目の焼成温度のわずか50℃の違いが膜の運命を決め、その後600℃で焼き直しても覆らないことを発見しました。その引き金が初期に生じる微小な穴であることを、世界初のL10-FePdの表面自由エネルギー計算と原子レベルの観察により突き止めました。...