・厚さ10 nm未満のMg膜を用いた低ダメージ熱処理（ソフトアニール注1））により、薄いp型GaN注2）の表面を平坦なまま保ちながら、表面近傍に高濃度Mgアクセプター層を形成した。・プラズマ加工の有無にかかわらず、（1～3）×10⁻⁴ Ω·cm²の低い比接触抵抗注3）を実現し、薄膜p型GaNに対する高い汎用性を示した。・従来の厚膜Mgアニールで報告されている反応生成相は確認されず、材料品質の維持を確認した。・膜厚50 nmの薄膜p型GaNでも高い...