・厚さ10 nm未満のMg膜を用いた低ダメージ熱処理（ソフトアニール注1））により、薄いp型GaN注2）の表面を平坦なまま保ちながら、表面近傍に高濃度Mgアクセプター層を形成した。・プラズマ加工の有無にかかわらず、（1～3）×10⁻⁴ Ω·cm²の低い比接触抵抗注3）を実現し、薄膜p型GaNに対する高い汎用性を示した。・従来の厚膜Mgアニールで報告されている反応生成相は確認されず、材料品質の維持を確認した。・膜厚50 nmの薄膜p型GaNでも高い...

・次世代の超省電力半導体として期待される二次元物質（MoS2）を、これまで必要だった別の基板へ貼り替える「転写工程」無く、成長させたサファイア基板上で直接トランジスタ動作させることに成功。・本来のトランジスタのオン・オフ動作を示さなかった最大の原因は、基板界面に残存した硫酸基や水分子による“隠れた電子ドーピング”であることを解明。微細加工後にガス熱処理を行う独自の「完全ドライ界面制御」によりこのボトルネックを根本から解消。・高品質なサファイア基板上単結晶MoS2を「ウェハ」としてそのまま直接利用する道を...