|
検索したキーワードがページ内でハイライトします。
| RESET |
研究キーワード:名古屋大学における「アニール」 に関係する研究一覧:2件
概要表示
折りたたむ
発表日:2026年8月18日
この記事は2026年9月1日号以降に掲載されます。
1
薄いp型GaNとの低抵抗接触を実現する形成技術を開発
~多様な電子・光デバイスへの応用に期待~
この記事は2026年9月1日号以降に掲載されます。
概要表示
折りたたむ
発表日:2026年7月10日
2
二次元半導体の直接成長ウェハ上でのトランジスタ基本動作を初実証
――転写プロセスに頼らない集積回路用プラットフォームへ道――
・次世代の超省電力半導体として期待される二次元物質(MoS2)を、これまで必要だった別の基板へ貼り替える「転写工程」無く、成長させたサファイア基板上で直接トランジスタ動作させることに成功。・本来のトランジスタのオン・オフ動作を示さなかった最大の原因は、基板界面に残存した硫酸基や水分子による“隠れた電子ドーピング”であることを解明。微細加工後にガス熱処理を行う独自の「完全ドライ界面制御」によりこのボトルネックを根本から解消。・高品質なサファイア基板上単結晶MoS2を「ウェハ」としてそのまま直接利用する道を...
キーワード:人工知能(AI)/金属元素/水分子/低次元/二次元物質/パターン形成/アニール/モリブデン/有機金属化学/原子層/有機金属/前駆体/トランジスタ/パワーデバイス/二硫化モリブデン/半導体デバイス/ボトルネック/発光ダイオード(LED)/半導体産業/ドーピング/単結晶/界面制御/レーザー/酸化物/集積回路/低消費電力/熱処理/半導体/微細加工/ラット
他の関係分野:情報学環境学数物系科学化学総合理工工学
名古屋大学 研究シーズ