「半導体」に関するサイレントキーワード「結晶成長」が含まれる科研費採択研究3件

【研究名】窒化アルミニウム系超高耐圧半導体素子作製のための基盤技術開発
【研究代表者】上野 耕平  東京大学   生産技術研究所   助教 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090741223/	
【研究名】分極制御による可視光応答・高耐久性窒化物半導体人工光合成デバイス
【研究代表者】杉山 正和  東京大学   先端科学技術研究センター   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090323534/	 
【研究分担者】
藤井 克司  北九州市立大学  付置研究所  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080444016/	

【研究名】六方晶BN窒化物半導体に関する研究
【研究代表者】小林 康之  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所   機能物質科学研究部・薄膜材料研究グループ   主幹研究員 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090393727/	 
【研究分担者】
牧本 俊樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  機能物質科学研究部  部長  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050374070/	
赤坂 哲也  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  機能物質科学研究部  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090393735/	
西川 敦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  機能物質科学研究部  社員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060417095/	
中野 秀俊  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  量子光物性研究部  主幹研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090393793/	
後藤 秀樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  量子光物性研究部  主幹研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010393795/	
俵 毅彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  量子光物性研究部  研究主任  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000040393798/	
眞田 治樹 (眞田 浩樹)  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所  量子光物性研究部  社員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000050417094/