「グラフェン」に関するサイレントキーワード「移動度」が含まれる科研費採択研究2件

【研究名】半絶縁性SiC上ウェハスケールグラフェンはエレクトロニクス応用に最適なのか？
【研究代表者】乗松 航  名古屋大学   工学研究科   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000030409669/	
【研究名】外部電場バンドギャップエンジニアリングによる2層グラフェンの電気的オフの実現
【研究代表者】長汐 晃輔  東京大学   大学院・工学系研究科   講師 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020373441/