「ドーピング」に関するサイレントキーワード「第一原理計算」が含まれる科研費採択研究5件

【研究名】独自の化学設計指針に基づいた革新的新光機能性半導体の創製とデバイス化への展開
【研究代表者】平松 秀典  東京工業大学   科学技術創成研究院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080598136/	 
【研究分担者】
飯村 壮史  国立研究開発法人物質・材料研究機構  機能性材料研究拠点  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080717934/	

【研究名】ワイドギャップ半導体におけるケミカルドーピングの学理構築と新材料開拓
【研究代表者】大場 史康  東京工業大学   科学技術創成研究院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090378795/	 
【研究分担者】
野瀬 嘉太郎  京都大学  工学研究科  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000375106/	
高橋 亮  東京工業大学  科学技術創成研究院  助教  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080822311/	

【研究名】新規窒化物半導体のインシリコデザインと材料創成・デバイス化への展開
【研究代表者】大場 史康  東京工業大学   科学技術創成研究院   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090378795/	 
【研究分担者】
赤松 寛文  九州大学  工学研究院  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000010776537/	
田中 功  京都大学  工学研究科  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070183861/	
平松 秀典  東京工業大学  科学技術創成研究院  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080598136/	

【研究名】高移動度・層状MoS2チャネルトランジスタの基礎的研究
【研究代表者】若林 整  東京工業大学   総合理工学研究科(研究院)   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080700153/	
【研究名】層間ドーピングによる六方晶窒化ホウ素の光電子機能設計
【研究代表者】大場 史康  京都大学   工学研究科   助手 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090378795/