「省エネルギー」に関するサイレントキーワード「SiC」が含まれる科研費採択研究1件

【研究名】ＳｉＣの熱酸化が誘起する界面近傍構造変化の解析とＭＯＳＦＥＴ特性向上指針の明確化
【研究代表者】喜多 浩之  東京大学   大学院工学系研究科(工学部)   准教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000343145/