「先端機能デバイス」に関するサイレントキーワード「半導体物性」が含まれる科研費採択研究3件

【研究名】ガラス基板上に配向を有するIGZO薄膜の形成メカニズムの解明
【研究代表者】重里 有三  青山学院大学   理工学部   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000090270909/	 
【研究分担者】
岡島 敏浩  公益財団法人佐賀県地域産業支援センター九州シンクロトロン光研究センター  ビームライングループ  主任研究員  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000020450950/	
賈 軍軍  青山学院大学  理工学部  助教  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000080646737/	

【研究名】アモルファス酸化物半導体の双安定性と不安定性の起源解明および応用開拓
【研究代表者】井手 啓介  東京工業大学   科学技術創成研究院   助教 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070752799/	
【研究名】高温耐環境cBN薄膜デバイス創製
【研究代表者】吉田 豊信  東京大学   大学院・工学系研究科   教授 	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000000111477/	 
【研究分担者】
幾原 雄一  東京大学  工学部・総合研究機構  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070192474/	
近藤 高志  東京大学  大学院・工学系研究科  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060205557/	
【研究連携者】     
幾原 雄一  東京大学  工学系研究科総合研究機構  教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000070192474/	
近藤 高志  東京大学  大学院・工学系研究科  准教授  	https://nrid.nii.ac.jp/ja/nrid/1000060205557/